单 FET,MOSFET

结果 : 8
系列
CoolMOS™CoolMOS™ C7CoolMOS™ CFD7ACoolMOS™ CP
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
产品状态
不适用于新设计在售
漏源电压(Vdss)
600 V650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
11A(Tc)11.4A(Tc)16A(Tc)17A(Tc)21A(Tc)33A(Tc)50A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V12V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
10 毫欧 @ 50A,12V65 毫欧 @ 17.1A,10V115 毫欧 @ 9.7A,10V145 毫欧 @ 8.5A,10V199 毫欧 @ 9.9A,10V230 毫欧 @ 5.2A,10V310 毫欧 @ 4.4A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3.5V @ 660µA4.5V @ 200µA4.5V @ 260µA4.5V @ 3.08mA4.5V @ 420µA4.5V @ 440µA4.5V @ 490µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
23 nC @ 10 V36 nC @ 10 V41 nC @ 10 V43 nC @ 10 V64 nC @ 10 V318 nC @ 12 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
1044 pF @ 400 V1110 pF @ 100 V1520 pF @ 100 V1694 pF @ 400 V1950 pF @ 400 V3020 pF @ 400 V11987 pF @ 300 V
功率耗散(最大值)
63W(Tc)98W(Tc)104.2W(Tc)114W(Tc)139W(Tc)171W(Tc)694W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-40°C ~ 150°C(TJ)
供应商器件封装
PG-HDSOP-22-1PG-TO263-3PG-TO263-3-2PG-TO263-7-11PG-TO263-7-3-10
封装/外壳
22-PowerBSOP 模块TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263ABTO-263-7,D2PAK(6 引线 + 凸片),TO-263CBTO-263-8,D2PAK(7 引线 + 凸片),TO-263CA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
8结果

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/ 8
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IPB60R199CPATMA1
MOSFET N-CH 600V 16A TO263-3
Infineon Technologies
4,248
现货
1 : ¥32.84000
剪切带(CT)
1,000 : ¥16.96733
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
16A(Tc)
10V
199 毫欧 @ 9.9A,10V
3.5V @ 660µA
43 nC @ 10 V
±20V
1520 pF @ 100 V
-
139W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TO263-3-2
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
PG-TO263-3
IPB65R065C7ATMA2
MOSFET N-CH 650V 33A TO263-3
Infineon Technologies
4,846
现货
1 : ¥39.00000
剪切带(CT)
1,000 : ¥28.84411
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
650 V
33A(Tc)
10V
65 毫欧 @ 17.1A,10V
4.5V @ 200µA
64 nC @ 10 V
±20V
3020 pF @ 400 V
-
171W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TO263-3
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IPB65R115CFD7AATMA1
AUTOMOTIVE_COOLMOS PG-TO263-3
Infineon Technologies
969
现货
1 : ¥37.11000
剪切带(CT)
1,000 : ¥19.16346
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
650 V
21A(Tc)
10V
115 毫欧 @ 9.7A,10V
4.5V @ 490µA
41 nC @ 10 V
±20V
1950 pF @ 400 V
-
114W(Tc)
-40°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TO263-3
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
PG-TO263-7-3-10
IPBE65R230CFD7AATMA1
MOSFET N-CH 650V 11A TO263-7
Infineon Technologies
2,321
现货
1 : ¥17.24000
剪切带(CT)
1,000 : ¥11.44718
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
650 V
11A(Tc)
10V
230 毫欧 @ 5.2A,10V
4.5V @ 260µA
23 nC @ 10 V
±20V
1044 pF @ 400 V
-
63W(Tc)
-40°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PG-TO263-7-3-10
TO-263-7,D2PAK(6 引线 + 凸片),TO-263CB
AUTOMOTIVE_COOLMOS PG-TO263-3
IPB65R230CFD7AATMA1
AUTOMOTIVE_COOLMOS PG-TO263-3
Infineon Technologies
840
现货
1 : ¥22.25000
剪切带(CT)
1,000 : ¥11.51852
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
650 V
11A(Tc)
10V
230 毫欧 @ 5.2A,10V
4.5V @ 260µA
23 nC @ 10 V
±20V
1044 pF @ 400 V
-
63W(Tc)
-40°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TO263-3
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IPB65R310CFDAATMA1
MOSFET N-CH 650V 11.4A D2PAK
Infineon Technologies
2,407
现货
1 : ¥24.96000
剪切带(CT)
1,000 : ¥12.91799
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
650 V
11.4A(Tc)
10V
310 毫欧 @ 4.4A,10V
4.5V @ 440µA
41 nC @ 10 V
±20V
1110 pF @ 100 V
-
104.2W(Tc)
-40°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PG-TO263-3
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
954
现货
1 : ¥33.99000
剪切带(CT)
1,000 : ¥17.58674
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
650 V
17A(Tc)
10V
145 毫欧 @ 8.5A,10V
4.5V @ 420µA
36 nC @ 10 V
±20V
1694 pF @ 400 V
-
98W(Tc)
-40°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TO263-7-11
TO-263-8,D2PAK(7 引线 + 凸片),TO-263CA
IPDQ60R010S7XTMA1
IPDQ60R010S7XTMA1
HIGH POWER_NEW PG-HDSOP-22
Infineon Technologies
0
现货
查看交期
1 : ¥163.78000
剪切带(CT)
750 : ¥117.10516
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
50A(Tc)
12V
10 毫欧 @ 50A,12V
4.5V @ 3.08mA
318 nC @ 12 V
±20V
11987 pF @ 300 V
-
694W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-HDSOP-22-1
22-PowerBSOP 模块
显示
/ 8

单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。