单 FET，MOSFET

结果 : 5
制造商
Infineon TechnologiesMicro Commercial CoSTMicroelectronics
系列
-DeepGATE™, STripFET™ VIHEXFET®STripFET™ IISTripFET™ V
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
产品状态
停产在售
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
80A（Tc）86A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
3 毫欧 @ 40A，10V5 毫欧 @ 40A，10V5.5 毫欧 @ 20A，10V5.5 毫欧 @ 40A，10V5.8 毫欧 @ 25A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.35V @ 50µA2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
14 nC @ 5 V23 nC @ 4.5 V27 nC @ 5 V52.8 nC @ 10 V80 nC @ 5 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1850 pF @ 25 V2060 pF @ 25 V2150 pF @ 15 V3800 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
45W（Tc）70W（Tc）75W（Tc）110W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）175°C（TJ）
供应商器件封装
DPAKTO-252（DPAK）TO-252AA (DPAK)
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
5结果
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/ 5
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO252-3
IRLR8726TRPBF
MOSFET N-CH 30V 86A DPAK
Infineon Technologies
17,723
现货
1 : ¥5.09000
剪切带（CT）
2,000 : ¥1.70863
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
86A（Tc）
4.5V，10V
5.8 毫欧 @ 25A，10V
2.35V @ 50µA
23 nC @ 4.5 V
±20V
2150 pF @ 15 V
-
75W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-252AA (DPAK)
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
MBRD6100CT-TP
MCU80N03A-TP
MOSFET N-CH 30V 80A DPAK
Micro Commercial Co
5,779
现货
1 : ¥4.68000
剪切带（CT）
2,500 : ¥1.77240
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
80A（Tc）
4.5V，10V
5.5 毫欧 @ 20A，10V
2.5V @ 250µA
52.8 nC @ 10 V
±20V
2150 pF @ 15 V
-
45W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
DPAK
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
MFG_DPAK(TO252-3)
STD86N3LH5
MOSFET N-CH 30V 80A DPAK
STMicroelectronics
8,496
现货
1 : ¥11.58000
剪切带（CT）
2,500 : ¥4.78431
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
80A（Tc）
5V，10V
5 毫欧 @ 40A，10V
2.5V @ 250µA
14 nC @ 5 V
±20V
1850 pF @ 25 V
-
70W（Tc）
175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
DPAK
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
DPAK
STD155N3LH6
MOSFET N-CH 30V 80A DPAK
STMicroelectronics
2,446
现货
1 : ¥15.84000
剪切带（CT）
2,500 : ¥6.63661
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
80A（Tc）
5V，10V
3 毫欧 @ 40A，10V
2.5V @ 250µA
80 nC @ 5 V
±20V
3800 pF @ 25 V
-
110W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-252（DPAK）
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
MFG_DPAK(TO252-3)
STD100N3LF3
MOSFET N-CH 30V 80A DPAK
STMicroelectronics
0
现货
1 : ¥15.11000
剪切带（CT）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
80A（Tc）
5V，10V
5.5 毫欧 @ 40A，10V
2.5V @ 250µA
27 nC @ 5 V
±20V
2060 pF @ 25 V
-
110W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
DPAK
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
显示
/ 5

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。