单 FET，MOSFET

结果 : 2
产品状态
最后售卖在售
漏源电压（Vdss）
55 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
57A（Tc）64A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
12 毫欧 @ 34A，10V14 毫欧 @ 32A，10V
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
65 nC @ 10 V81 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1690 pF @ 25 V1970 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
92W（Tc）130W（Tc）
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
显示
/ 2
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-220AB PKG
IRFZ48NPBF
MOSFET N-CH 55V 64A TO220AB
Infineon Technologies
3,397
现货
1 : ¥10.43000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
55 V
64A（Tc）
10V
14 毫欧 @ 32A，10V
4V @ 250µA
81 nC @ 10 V
±20V
1970 pF @ 25 V
-
130W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-220AB
TO-220-3
TO-220AB PKG
IRFZ44VZPBF
MOSFET N-CH 60V 57A TO220AB
Infineon Technologies
275
现货
1 : ¥16.99000
管件
管件
最后售卖
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
57A（Tc）
10V
12 毫欧 @ 34A，10V
4V @ 250µA
65 nC @ 10 V
±20V
1690 pF @ 25 V
-
92W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-220AB
TO-220-3
显示
/ 2

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。