单 FET，MOSFET

结果 : 10
制造商
Diodes IncorporatedInfineon TechnologiesonsemiSTMicroelectronicsVishay Siliconix
系列
-HEXFET®QFET®STripFET™UniFET™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）管件
产品状态
最后售卖在售
漏源电压（Vdss）
200 V250 V500 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
1.5A（Ta）2.6A（Tc）3.8A（Tc）4.8A（Tc）5A（Tc）5.5A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
5V5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
600 毫欧 @ 2.9A，10V690 毫欧 @ 2.5A，10V700 毫欧 @ 2.5A，5V750 毫欧 @ 2.75A，10V800 毫欧 @ 2.9A，10V1.1 欧姆 @ 2.3A，10V1.5 欧姆 @ 1.6A，10V1.7 欧姆 @ 3A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2V @ 250µA2.5V @ 250µA2.5V @ 50µA4V @ 250µA4.5V @ 250µA5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
6 nC @ 5 V6.7 nC @ 10 V8.1 nC @ 5 V8.2 nC @ 10 V9 nC @ 5 V14 nC @ 10 V23 nC @ 10 V24 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
140 pF @ 25 V242 pF @ 25 V250 pF @ 25 V260 pF @ 25 V300 pF @ 25 V358 pF @ 25 V490 pF @ 25 V500 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
2.2W（Ta）2.5W（Ta），25W（Tc）2.5W（Ta），42W（Tc）2.5W（Ta），45W（Tc）33W（Tc）43W（Tc）110W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
DPAKTO-252-3TO-252AATO-252AA (DPAK)
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
10结果
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/ 10
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-252AA
FDD7N20TM
MOSFET N-CH 200V 5A D-PAK
onsemi
11,709
现货
60,000
工厂
1 : ¥6.73000
剪切带（CT）
2,500 : ¥2.54517
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
200 V
5A（Tc）
10V
690 毫欧 @ 2.5A，10V
5V @ 250µA
6.7 nC @ 10 V
±30V
250 pF @ 25 V
-
43W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
TO-252AA
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
MFG_DPAK(TO252-3)
STD5N20LT4
MOSFET N-CH 200V 5A DPAK
STMicroelectronics
11,902
现货
1 : ¥6.98000
剪切带（CT）
2,500 : ¥2.89527
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
200 V
5A（Tc）
5V
700 毫欧 @ 2.5A，5V
2.5V @ 50µA
6 nC @ 5 V
±20V
242 pF @ 25 V
-
33W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
DPAK
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
TO-252-2
ZXMN20B28KTC
MOSFET N-CH 200V 1.5A TO252-3
Diodes Incorporated
4,695
现货
1 : ¥5.99000
剪切带（CT）
2,500 : ¥2.28725
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
200 V
1.5A（Ta）
5V，10V
750 毫欧 @ 2.75A，10V
2.5V @ 250µA
8.1 nC @ 5 V
±20V
358 pF @ 25 V
-
2.2W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
TO-252-3
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
D-PAK (TO-252AA)
IRFR220PBF
MOSFET N-CH 200V 4.8A DPAK
Vishay Siliconix
2,285
现货
1 : ¥7.31000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
200 V
4.8A（Tc）
10V
800 毫欧 @ 2.9A，10V
4V @ 250µA
14 nC @ 10 V
±20V
260 pF @ 25 V
-
2.5W（Ta），42W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
DPAK
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
TO-252AA
FQD7N20LTM
MOSFET N-CH 200V 5.5A DPAK
onsemi
2,375
现货
5,000
工厂
1 : ¥10.43000
剪切带（CT）
2,500 : ¥2.72631
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
200 V
5.5A（Tc）
5V，10V
750 毫欧 @ 2.75A，10V
2V @ 250µA
9 nC @ 5 V
±20V
500 pF @ 25 V
-
2.5W（Ta），45W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
TO-252AA
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
D-PAK (TO-252AA)
IRFR210PBF
MOSFET N-CH 200V 2.6A DPAK
Vishay Siliconix
13,598
现货
1 : ¥6.49000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
200 V
2.6A（Tc）
10V
1.5 欧姆 @ 1.6A，10V
4V @ 250µA
8.2 nC @ 10 V
±20V
140 pF @ 25 V
-
2.5W（Ta），25W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
DPAK
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
D-PAK (TO-252AA)
IRFR210TRPBF
MOSFET N-CH 200V 2.6A DPAK
Vishay Siliconix
8,158
现货
1 : ¥9.28000
剪切带（CT）
2,000 : ¥3.47788
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
200 V
2.6A（Tc）
10V
1.5 欧姆 @ 1.6A，10V
4V @ 250µA
8.2 nC @ 10 V
±20V
140 pF @ 25 V
-
2.5W（Ta），25W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
DPAK
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
TO-252
IRFR430ATRPBF
MOSFET N-CH 500V 5A DPAK
Vishay Siliconix
1,763
现货
1 : ¥10.59000
剪切带（CT）
2,000 : ¥6.31129
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
500 V
5A（Tc）
10V
1.7 欧姆 @ 3A，10V
4.5V @ 250µA
24 nC @ 10 V
±30V
490 pF @ 25 V
-
110W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
DPAK
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
TO252-3
IRFR220NTRLPBF
MOSFET N-CH 200V 5A DPAK
Infineon Technologies
18,646
现货
1 : ¥11.58000
剪切带（CT）
3,000 : ¥3.00178
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
最后售卖
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
200 V
5A（Tc）
10V
600 毫欧 @ 2.9A，10V
4V @ 250µA
23 nC @ 10 V
±20V
300 pF @ 25 V
-
43W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
TO-252AA (DPAK)
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
D-PAK (TO-252AA)
IRFR224TRPBF
MOSFET N-CH 250V 3.8A DPAK
Vishay Siliconix
1,700
现货
1 : ¥13.46000
剪切带（CT）
2,000 : ¥5.56190
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
最后售卖
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
250 V
3.8A（Tc）
10V
1.1 欧姆 @ 2.3A，10V
4V @ 250µA
14 nC @ 10 V
±20V
260 pF @ 25 V
-
2.5W（Ta），42W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
DPAK
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
显示
/ 10

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。