单 FET，MOSFET

结果 : 2
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
产品状态
不适用于新设计在售
漏源电压（Vdss）
600 V800 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
10A（Tc）10.5A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
750 毫欧 @ 4.5A，10V750 毫欧 @ 5.25A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4.5V @ 100µA4.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
70 nC @ 10 V87 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1370 pF @ 25 V2620 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
115W（Tc）190W（Tc）
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
D²PAK
STB12NK80ZT4
MOSFET N-CH 800V 10.5A D2PAK
STMicroelectronics
3,247
现货
1 : ¥40.47000
剪切带（CT）
1,000 : ¥20.93442
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
800 V
10.5A（Tc）
10V
750 毫欧 @ 5.25A，10V
4.5V @ 100µA
87 nC @ 10 V
±30V
2620 pF @ 25 V
-
190W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
D2PAK
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
D²PAK
STB10NK60ZT4
MOSFET N-CH 600V 10A D2PAK
STMicroelectronics
2,584
现货
1 : ¥29.23000
剪切带（CT）
1,000 : ¥15.08883
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
600 V
10A（Tc）
10V
750 毫欧 @ 4.5A，10V
4.5V @ 250µA
70 nC @ 10 V
±30V
1370 pF @ 25 V
-
115W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
D2PAK
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。