单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.STMicroelectronics
系列
AlphaSGT™STripFET™
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
38A（Ta），72.5A（Tc）70A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
6V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
3.3 毫欧 @ 20A，10V3.5 毫欧 @ 35A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3.4V @ 250µA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
55 nC @ 10 V60 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
2870 pF @ 30 V3100 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
8.3W（Ta），30W（Tc）33W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）175°C（TJ）
供应商器件封装
TO-220FTO-220FP
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-220-F
STF140N6F7
MOSFET N-CH 60V 70A TO220FP
STMicroelectronics
944
现货
1 : ¥16.42000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
70A（Tc）
10V
3.5 毫欧 @ 35A，10V
4V @ 250µA
55 nC @ 10 V
±20V
3100 pF @ 25 V
-
33W（Tc）
175°C（TJ）
通孔
TO-220FP
TO-220-3 整包
TO-220F
AOTF66616L
MOSFET N-CH 60V 38A/72.5A TO220F
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
2,238
现货
1 : ¥22.33000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
38A（Ta），72.5A（Tc）
6V，10V
3.3 毫欧 @ 20A，10V
3.4V @ 250µA
60 nC @ 10 V
±20V
2870 pF @ 30 V
-
8.3W（Ta），30W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-220F
TO-220-3 整包
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。