单 FET，MOSFET

结果 : 13
制造商
Infineon TechnologiesRohm SemiconductorSTMicroelectronicsWolfspeed, Inc.
系列
-C3M™CoolSiC™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）散装管件
技术
MOSFET（金属氧化物）SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）
650 V1200 V1700 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
7A（Tc）7.6A（Tc）17A（Tc）20A（Tc）30A（Tc）31A（Tc）33A（Tc）40A（Tc）45A（Tc）65A（Tc）91A（Tc）95A（Tc）100A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
15V18V20V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
26 毫欧 @ 50A，18V28，8 毫欧 @ 50A，15V30 毫欧 @ 50A，18V69 毫欧 @ 40A，20V90 毫欧 @ 20A，15V100 毫欧 @ 20A，20V104 毫欧 @ 10A，18V104 毫欧 @ 13A，15V208 毫欧 @ 8.5A，15V290 毫欧 @ 10A，20V455 毫欧 @ 3.6A，15V1.3 欧姆 @ 3A，20V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3V @ 1mA3.5V @ 1mA3.5V @ 1mA （典型值）3，6V @ 17，7mA3.6V @ 1mA3.6V @ 2.33mA4V @ 5mA4.9V @ 1mA5V @ 5mA5.6V @ 5mA5.7V @ 5.6mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
13.3 nC @ 20 V19 nC @ 15 V28 nC @ 15 V38 nC @ 15 V45 nC @ 20 V54 nC @ 15 V60 nC @ 18 V105 nC @ 20 V122 nC @ 20 V150 nC @ 18 V160 nC @ 15 V162 nC @ 18 V
Vgs（最大值）
+15V，-4V+19V，-8V+20V，-7V+22V，-10V+22V，-4V+25V，-10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
133 pF @ 1000 V345 pF @ 1000 V632 pF @ 1000 V650 pF @ 400 V785 pF @ 800 V1060 pF @ 800 V1350 pF @ 1000 V1700 pF @ 400 V1900 pF @ 400 V3315 pF @ 520 V3540 pF @ 800 V4818 pF @ 1000 V
功率耗散（最大值）
50W（Tc）96W（Tc）97W（Tc）113.6W（Tc）150W（Tc）165W175W（Tc）270W（Tc）318W（Tc）360W（Tc）469W（Tc）547W
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）-55°C ~ 200°C（TJ）-40°C ~ 175°C（TJ）175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
H2PAK-2H2PAK-7HiP247™HiP247™ 长引线PG-TO247-3-41TO-247-3TO-247-4TO-247N
封装/外壳
TO-247-3TO-247-4TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263ABTO-263-8，D2PAK（7 引线 + 凸片），TO-263CA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
13结果
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/ 13
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
C2D10120D
C3M0350120D
SICFET N-CH 1200V 7.6A TO247-3
Wolfspeed, Inc.
2,753
现货
1 : ¥60.75000
管件
管件
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
1200 V
7.6A（Tc）
15V
455 毫欧 @ 3.6A，15V
3.6V @ 1mA
19 nC @ 15 V
+15V，-4V
345 pF @ 1000 V
-
50W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
通孔
TO-247-3
TO-247-3
H2PAK
SCT20N120H
SICFET N-CH 1200V 20A H2PAK-2
STMicroelectronics
471
现货
1 : ¥128.57000
剪切带（CT）
1,000 : ¥81.39939
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
1200 V
20A（Tc）
20V
290 毫欧 @ 10A，20V
3.5V @ 1mA
45 nC @ 20 V
+25V，-10V
650 pF @ 400 V
-
175W（Tc）
-55°C ~ 200°C（TJ）
-
-
表面贴装型
H2PAK-2
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
C2D10120D
C3M0075120D
SICFET N-CH 1200V 30A TO247-3
Wolfspeed, Inc.
835
现货
1 : ¥161.57000
管件
管件
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
1200 V
30A（Tc）
15V
90 毫欧 @ 20A，15V
4V @ 5mA
54 nC @ 15 V
+19V，-8V
1350 pF @ 1000 V
-
113.6W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
通孔
TO-247-3
TO-247-3
C2D10120D
C3M0021120D
SICFET N-CH 1200V 100A TO247-3
Wolfspeed, Inc.
1,120
现货
1 : ¥336.77000
管件
管件
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
1200 V
100A（Tc）
15V
28，8 毫欧 @ 50A，15V
3，6V @ 17，7mA
160 nC @ 15 V
+15V，-4V
4818 pF @ 1000 V
-
469W（Tc）
-40°C ~ 175°C（TJ）
-
-
通孔
TO-247-3
TO-247-3
C2D10120D
C3M0160120D
SICFET N-CH 1200V 17A TO247-3
Wolfspeed, Inc.
1,944
现货
1 : ¥91.21000
管件
管件
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
1200 V
17A（Tc）
15V
208 毫欧 @ 8.5A，15V
3.6V @ 2.33mA
38 nC @ 15 V
+15V，-4V
632 pF @ 1000 V
-
97W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
通孔
TO-247-3
TO-247-3
TO-247-3 AC EP
AIMW120R080M1XKSA1
1200V COOLSIC MOSFET PG-TO247-3
Infineon Technologies
580
现货
1 : ¥119.12000
管件
管件
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
1200 V
33A（Tc）
15V
104 毫欧 @ 13A，15V
5.7V @ 5.6mA
28 nC @ 15 V
+20V，-7V
1060 pF @ 800 V
-
150W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
通孔
PG-TO247-3-41
TO-247-3
TO-247-3 HiP
SCT50N120
SICFET N-CH 1200V 65A HIP247
STMicroelectronics
600
现货
1 : ¥240.05000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
1200 V
65A（Tc）
20V
69 毫欧 @ 40A，20V
3V @ 1mA
122 nC @ 20 V
+25V，-10V
1900 pF @ 400 V
-
318W（Tc）
-55°C ~ 200°C（TJ）
-
-
通孔
HiP247™
TO-247-3
541
现货
1 : ¥72.99000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
1700 V
7A（Tc）
20V
1.3 欧姆 @ 3A，20V
3.5V @ 1mA
13.3 nC @ 20 V
+22V，-10V
133 pF @ 1000 V
-
96W（Tc）
-55°C ~ 200°C（TJ）
-
-
通孔
HiP247™
TO-247-3
TO-247N
SCT3080KLHRC11
SICFET N-CH 1200V 31A TO247N
Rohm Semiconductor
833
现货
1 : ¥148.10000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
1200 V
31A（Tc）
18V
104 毫欧 @ 10A，18V
5.6V @ 5mA
60 nC @ 18 V
+22V，-4V
785 pF @ 800 V
-
165W
175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
通孔
TO-247N
TO-247-3
SCTWA30N120
SCTWA30N120
IC POWER MOSFET 1200V HIP247
STMicroelectronics
294
现货
30 : ¥171.27033
管件
-
管件
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
1200 V
45A（Tc）
20V
100 毫欧 @ 20A，20V
3.5V @ 1mA （典型值）
105 nC @ 20 V
+25V，-10V
1700 pF @ 400 V
-
270W（Tc）
-55°C ~ 200°C（TJ）
-
-
通孔
HiP247™ 长引线
TO-247-3
H2PAK
SCT30N120H
SICFET N-CH 1200V 40A H2PAK-2
STMicroelectronics
0
现货
查看交期
1 : ¥191.70000
剪切带（CT）
1,000 : ¥129.12734
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
1200 V
40A（Tc）
20V
100 毫欧 @ 20A，20V
3.5V @ 1mA
105 nC @ 20 V
+25V，-10V
1700 pF @ 400 V
-
270W（Tc）
-55°C ~ 200°C（TJ）
-
-
表面贴装型
H2PAK-2
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
TO-263-7
SCTH100N65G2-7AG
SICFET N-CH 650V 95A H2PAK-7
STMicroelectronics
0
现货
查看交期
1 : ¥282.75000
剪切带（CT）
1,000 : ¥184.57077
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
650 V
95A（Tc）
18V
26 毫欧 @ 50A，18V
5V @ 5mA
162 nC @ 18 V
+22V，-10V
3315 pF @ 520 V
-
360W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
H2PAK-7
TO-263-8，D2PAK（7 引线 + 凸片），TO-263CA
0
现货
查看交期
600 : ¥198.47503
散装
-
散装
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
1200 V
91A（Tc）
18V
30 毫欧 @ 50A，18V
4.9V @ 1mA
150 nC @ 18 V
+22V，-10V
3540 pF @ 800 V
-
547W
-55°C ~ 200°C（TJ）
-
-
通孔
TO-247-4
TO-247-4
显示
/ 13

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。