单 FET,MOSFET
结果 : 2
制造商
系列
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
功率耗散(最大值)
供应商器件封装
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
显示 / 2
1 - 2
Sort By: 精选
比较 | 制造商零件编号 | 现有数量 | 价格 | 系列 | 包装 | 产品状态 | FET 类型 | 技术 | 漏源电压(Vdss) | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | Vgs(最大值) | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | FET 功能 | 功率耗散(最大值) | 工作温度 | 安装类型 | 供应商器件封装 | 封装/外壳 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
758 现货 | 1 : ¥15.68000 管件 | 管件 | 在售 | N 通道 | MOSFET(金属氧化物) | 800 V | 12A(Tc) | 10V | 445 毫欧 @ 6A,10V | 5V @ 100µA | 22 nC @ 10 V | ±30V | 620 pF @ 100 V | - | 30W(Tc) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 通孔 | TO-220FP | TO-220-3 整包 | |||
220 现货 | 1 : ¥17.08000 管件 | 管件 | 在售 | N 通道 | MOSFET(金属氧化物) | 800 V | 11A(Tc) | 10V | 450 毫欧 @ 4.5A,10V | 3.5V @ 220µA | 24 nC @ 10 V | ±20V | 770 pF @ 500 V | - | 29W(Tc) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 通孔 | PG-TO220-3-31 | TO-220-3 整包 |
显示 / 2
1 - 2