IGBT 模块

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制造商零件编号	现有数量	价格	系列	包装	产品状态	IGBT 类型	配置	电压 - 集射极击穿（最大值）	电流 - 集电极 (Ic)（最大值）	功率 - 最大值	不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）	电流 - 集电极截止（最大值）	不同 Vce 时输入电容 (Cies)	输入	NTC 热敏电阻	工作温度	安装类型	封装/外壳	供应商器件封装

FZ800R45KL3B5NOSA2 IGBT MOD 4500V 1600A 9000W Infineon Technologies	4 现货 47 市场	1 : ¥13,733.77000 托盘	-	散装托盘	在售	沟槽型场截止	双通道，并行	4500 V	1600 A	9000 W	2.85V @ 15V，800A	5 mA	3.1 nF @ 25 V	标准	无	-50°C ~ 125°C	底座安装	模块	模块
FZ2400R33HE4BPSA1 HV B SINGLE SWITCH POWER MODULES Infineon Technologies	1 现货	1 : ¥16,847.42000 托盘	IHM-B	托盘	在售	沟槽型场截止	单开关	3300 V	2400 A	5400000 W	2.65V @ 15V，2.4kA	5 mA	280 nF @ 25 V	标准	无	-40°C ~ 150°C（TJ）	底座安装	模块	AG-IHVB190-3

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IGBT 模块

绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 是三端功率半导体器件，主要用作电子开关，兼具高效率和快速切换优点。作为模块，IGBT 配置为非对称式桥；升压、降压和制动斩波器；全桥、三电平和三相逆变器。有些器件内置了用于监控温度的 NTC 热敏电阻。IGBT 模块可根据最大功率、集电极电流、集射击穿电压和配置进行区分。