单 FET，MOSFET

结果 : 2
产品状态
停产在售
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
10A（Tc）12.5A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
360 毫欧 @ 3A，10V450 毫欧 @ 2.3A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3.5V @ 120µA3.5V @ 150µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
13.1 nC @ 400 V16.4 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
424 pF @ 400 V517 pF @ 400 V
功率耗散（最大值）
26.4W（Tc）50W（Tc）
供应商器件封装
PG-TO220 整包PG-TO251-3
封装/外壳
TO-220-3 整包TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
PG-TO-220-FP
IPA70R360P7SXKSA1
MOSFET N-CH 700V 12.5A TO220
Infineon Technologies
356
现货
1 : ¥10.43000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
700 V
12.5A（Tc）
10V
360 毫欧 @ 3A，10V
3.5V @ 150µA
16.4 nC @ 10 V
±16V
517 pF @ 400 V
-
26.4W（Tc）
-40°C ~ 150°C（TJ）
通孔
PG-TO220 整包
TO-220-3 整包
PG-TO251-3
IPSA70R450P7SAKMA1
MOSFET N-CH 700V 10A TO251-3
Infineon Technologies
1,481
现货
1 : ¥7.39000
管件
管件
停产
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
700 V
10A（Tc）
10V
450 毫欧 @ 2.3A，10V
3.5V @ 120µA
13.1 nC @ 400 V
±16V
424 pF @ 400 V
-
50W（Tc）
-40°C ~ 150°C（TJ）
通孔
PG-TO251-3
TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。