单双极晶体管

结果 : 2
制造商
Central Semiconductor Corponsemi
包装
托盘管件
产品状态
停产在售
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)
10 A15 A
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)
1V @ 500mA,5A3V @ 3.3A,10A
电流 - 集电极截止(最大值)
700µA-
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)
20 @ 4A,4V50 @ 1A,2V
功率 - 最大值
115 W150 W
频率 - 跃迁
2.5MHz4MHz
供应商器件封装
TO-204(TO-3)TO-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果

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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
晶体管类型
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)
电压 - 集射极击穿(最大值)
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)
电流 - 集电极截止(最大值)
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)
功率 - 最大值
频率 - 跃迁
工作温度
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
TO-3 Pkg
MJ2955G
TRANS PNP 60V 15A TO204
onsemi
188
现货
1,900
工厂
1 : ¥38.83000
托盘
-
托盘
在售
PNP
15 A
60 V
3V @ 3.3A,10A
700µA
20 @ 4A,4V
115 W
2.5MHz
-65°C ~ 200°C(TJ)
通孔
TO-204AA,TO-3
TO-204(TO-3)
0
现货
停产
-
管件
停产
PNP
10 A
60 V
1V @ 500mA,5A
-
50 @ 1A,2V
150 W
4MHz
-65°C ~ 200°C(TJ)
通孔
TO-204AA,TO-3
TO-3
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单双极晶体管


分立式双极性结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。按照构成晶体管的半导体层顺序的不同,BJT 分为 NPN 和 PNP 两种类型。NPN 晶体管在两层 N 型材料之间夹着一层薄的 P 型半导体,而 PNP 晶体管则是在两层 P 型半导体之间夹着一层 N 型半导体。这使得这两种晶体管的操作极性完全相反。NPN 晶体管吸收电流,而 PNP 晶体管输出电流。