IGBT 模块

结果 : 8
系列
CEconoDUAL™ 3PrimePACK™2
IGBT 类型
-沟槽型场截止
配置
2 个独立式半桥单路
电压 - 集射极击穿（最大值）
1200 V1700 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
310 A320 A450 A600 A
功率 - 最大值
20 mW1050 W1100 W1250 W1600 W2400 W2550 W3000 W
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
1.75V @ 15V，450A2.05V @ 15V，450A2.1V @ 15V，600A2.15V @ 15V，200A2.15V @ 15V，225A2.15V @ 15V，300A2.15V @ 15V，450A2.45V @ 15V，200A
电流 - 集电极截止（最大值）
40 µA3 mA5 mA
不同 Vce 时输入电容 (Cies)
1.7 nF @ 25 V13 nF @ 25 V14 nF @ 25 V18 nF @ 25 V19 nF @ 25 V27 nF @ 25 V28 nF @ 25 V69 nF @ 25 V
NTC 热敏电阻
无是
工作温度
-40°C ~ 125°C-40°C ~ 125°C（TJ）-40°C ~ 150°C-40°C ~ 150°C（TJ）-40°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
AG-ECONOD模块
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
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制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
IGBT 类型
配置
电压 - 集射极击穿（最大值）
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
功率 - 最大值
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
电流 - 集电极截止（最大值）
不同 Vce 时输入电容 (Cies)
输入
NTC 热敏电阻
工作温度
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
FZ600R12KE4HOSA1
FZ600R12KE4HOSA1
IGBT MOD 1200V 600A 3000W
Infineon Technologies
31
现货
1 : ¥937.40000
托盘
托盘
在售
-
单路
1200 V
600 A
3000 W
2.1V @ 15V，600A
5 mA
1.7 nF @ 25 V
标准
无
-40°C ~ 125°C
底座安装
模块
模块
IGBT MODULE C SERIES
FF450R12KT4HOSA1
IGBT MOD 1200V 580A 2400W
Infineon Technologies
110
现货
1 : ¥1,196.17000
托盘
托盘
在售
沟槽型场截止
半桥
1200 V
450 A
2400 W
2.15V @ 15V，450A
5 mA
28 nF @ 25 V
标准
无
-40°C ~ 150°C（TJ）
底座安装
模块
模块
EconoDUAL
FF225R12ME4BOSA1
IGBT MOD 1200V 320A 1050W
Infineon Technologies
54
现货
1 : ¥959.07000
托盘
托盘
在售
沟槽型场截止
2 个独立式
1200 V
320 A
1050 W
2.15V @ 15V，225A
3 mA
13 nF @ 25 V
标准
是
-40°C ~ 150°C
底座安装
模块
模块
IGBT MODULE C SERIES
FF200R12KT4HOSA1
IGBT MOD 1200V 320A 1100W
Infineon Technologies
19
现货
1 : ¥777.22000
托盘
托盘
在售
沟槽型场截止
半桥
1200 V
320 A
1100 W
2.15V @ 15V，200A
5 mA
14 nF @ 25 V
标准
无
-40°C ~ 150°C（TJ）
底座安装
模块
模块
IGBT MODULE C SERIES
FF300R12KT4HOSA1
IGBT MOD 1200V 450A 1600W
Infineon Technologies
15
现货
1 : ¥943.96000
托盘
托盘
在售
沟槽型场截止
半桥
1200 V
450 A
1600 W
2.15V @ 15V，300A
5 mA
19 nF @ 25 V
标准
无
-40°C ~ 150°C（TJ）
底座安装
模块
模块
IGBT MODULE C SERIES
FF200R17KE3HOSA1
IGBT MOD 1700V 310A 1250W
Infineon Technologies
16
现货
1 : ¥1,282.54000
托盘
托盘
在售
沟槽型场截止
半桥
1700 V
310 A
1250 W
2.45V @ 15V，200A
3 mA
18 nF @ 25 V
标准
无
-40°C ~ 125°C（TJ）
底座安装
模块
模块
FF450R12ME7B11BPSA1
FF450R12ME7B11BPSA1
ECONODUAL 3 WITH TRENCHSTOP IGBT
Infineon Technologies
6
现货
1 : ¥1,250.68000
托盘
托盘
在售
沟槽型场截止
2 个独立式
1200 V
450 A
20 mW
1.75V @ 15V，450A
40 µA
69 nF @ 25 V
标准
是
-40°C ~ 175°C（TJ）
底座安装
模块
AG-ECONOD
PrimePACK2
FF450R12IE4BOSA2
IGBT MOD 1200V 450A 2550W
Infineon Technologies
0
现货
查看交期
3 : ¥2,902.08333
托盘
托盘
在售
沟槽型场截止
2 个独立式
1200 V
450 A
2550 W
2.05V @ 15V，450A
5 mA
27 nF @ 25 V
标准
是
-40°C ~ 150°C
底座安装
模块
模块
显示
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IGBT 模块

绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 是三端功率半导体器件，主要用作电子开关，兼具高效率和快速切换优点。作为模块，IGBT 配置为非对称式桥； 升压、降压和制动斩波器；全桥、三电平和三相逆变器。有些器件内置了用于监控温度的 NTC 热敏电阻。IGBT 模块可根据最大功率、集电极电流、集射击穿电压和配置进行区分。