单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
Diodes IncorporatedVishay Siliconix
系列
-TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
产品状态
最后售卖在售
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
240mA（Ta）340mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.8V，4.5V3V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
2 欧姆 @ 100mA，4.5V2.5 欧姆 @ 250mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 250µA2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.5 nC @ 4.5 V0.6 nC @ 4.5 V
功率耗散（最大值）
280mW（Ta）320mW（Ta）
供应商器件封装
SC-70-3SOT-323
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-323
DMN62D0UW-7
MOSFET N-CH 60V 340MA SOT323
Diodes Incorporated
39,776
现货
252,000
工厂
1 : ¥2.30000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.39295
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
340mA（Ta）
1.8V，4.5V
2 欧姆 @ 100mA，4.5V
1V @ 250µA
0.5 nC @ 4.5 V
±20V
32 pF @ 30 V
-
320mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-323
SC-70，SOT-323
Pkg 5549
SI1330EDL-T1-E3
MOSFET N-CH 60V 240MA SC70-3
Vishay Siliconix
28,191
现货
1 : ¥4.19000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.40650
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
最后售卖
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
240mA（Ta）
3V，10V
2.5 欧姆 @ 250mA，10V
2.5V @ 250µA
0.6 nC @ 4.5 V
±20V
-
-
280mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SC-70-3
SC-70，SOT-323
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。