单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
Infineon TechnologiesSTMicroelectronicsVishay Siliconix
系列
CoolMOS™EMDmesh™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）管件
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
15A（Tc）17A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
290 毫欧 @ 11A，10V290 毫欧 @ 8.5A，10V295 毫欧 @ 8.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3.9V @ 1mA4V @ 250µA5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
70 nC @ 10 V122 nC @ 10 V177 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V±25V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
2070 pF @ 50 V2300 pF @ 100 V2408 pF @ 100 V
功率耗散（最大值）
190W（Tc）208W（Tc）227W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）150°C（TJ）
供应商器件封装
PG-TO263-3-2TO-263（D2PAK）
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
SPB17N80C3ATMA1
MOSFET N-CH 800V 17A TO263-3
Infineon Technologies
1,613
现货
1 : ¥36.94000
剪切带（CT）
1,000 : ¥19.10963
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
800 V
17A（Tc）
10V
290 毫欧 @ 11A，10V
3.9V @ 1mA
177 nC @ 10 V
±20V
2300 pF @ 100 V
-
227W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PG-TO263-3-2
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
D2Pak
STB18NM80
MOSFET N-CH 800V 17A D2PAK
STMicroelectronics
10,000
现货
1 : ¥37.19000
剪切带（CT）
1,000 : ¥19.24370
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
800 V
17A（Tc）
10V
295 毫欧 @ 8.5A，10V
5V @ 250µA
70 nC @ 10 V
±25V
2070 pF @ 50 V
-
190W（Tc）
150°C（TJ）
表面贴装型
TO-263（D2PAK）
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
SIHB17N80E-GE3
MOSFET N-CH 800V 15A D2PAK
Vishay Siliconix
993
现货
1 : ¥40.39000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
800 V
15A（Tc）
10V
290 毫欧 @ 8.5A，10V
4V @ 250µA
122 nC @ 10 V
±30V
2408 pF @ 100 V
-
208W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
TO-263（D2PAK）
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。