单 FET，MOSFET

结果 : 11
制造商
GeneSiC SemiconductorInfineon TechnologiesLittelfuse Inc.Microchip TechnologySTMicroelectronicsWolfspeed, Inc.
系列
-C3M™CoolSiC™G3R™HiPerFET™, PolarMDmesh™ K5POWER MOS 7®POWER MOS 8™
技术
MOSFET（金属氧化物）SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）
1000 V1200 V1500 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
4.7A（Tc）6A（Tc）7A（Tc）7.6A（Tc）11A（Tc）12A（Tc）14A（Tc）15A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V15V15V，18V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
420 毫欧 @ 4A，15V455 毫欧 @ 2A，18V455 毫欧 @ 3.6A，15V690 毫欧 @ 6A，10V760 毫欧 @ 500mA，10V900 毫欧 @ 7A，10V950 毫欧 @ 6A，10V980 毫欧 @ 7A，10V1.4 欧姆 @ 7A，10V1.9 欧姆 @ 3.5A，10V2 欧姆 @ 2.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.69V @ 2mA3.6V @ 1mA5V @ 100µA5V @ 1mA5.7V @ 1mA6.5V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
5.3 nC @ 18 V12 nC @ 15 V13.7 nC @ 10 V19 nC @ 15 V44.2 nC @ 10 V47 nC @ 10 V71 nC @ 10 V89 nC @ 10 V97 nC @ 10 V120 nC @ 10 V145 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
+15V，-4V±15V+23V，-7V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
182 pF @ 800 V334 pF @ 800 V345 pF @ 1000 V505 pF @ 100 V1360 pF @ 100 V1370 pF @ 100 V1969 pF @ 25 V3145 pF @ 100 V3965 pF @ 25 V4765 pF @ 25 V5140 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
40W（Tc）50W（Tc）60W（Tc）74W（Tc）130W（Tc）250W（Tc）298W（Tc）446W（Tc）500W（Tc）543W（Tc）625W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
PG-TO247-3-41TO-220FPTO-247TO-247 [B]TO-247-3TO-247AD（IXFH）
封装/外壳
TO-220-3 整包TO-247-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
11结果
显示
/ 11
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
C2D10120D
C3M0350120D
SICFET N-CH 1200V 7.6A TO247-3
Wolfspeed, Inc.
2,753
现货
1 : ¥60.75000
管件
管件
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
1200 V
7.6A（Tc）
15V
455 毫欧 @ 3.6A，15V
3.6V @ 1mA
19 nC @ 15 V
+15V，-4V
345 pF @ 1000 V
-
50W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-247-3
TO-247-3
TO-247-3 HiP
STW21N150K5
MOSFET N-CH 1500V 14A TO247
STMicroelectronics
404
现货
1 : ¥107.22000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
1500 V
14A（Tc）
10V
900 毫欧 @ 7A，10V
5V @ 100µA
89 nC @ 10 V
±30V
3145 pF @ 100 V
-
446W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-247-3
TO-247-3
TO-247-3-PKG-Series
APT10090BLLG
MOSFET N-CH 1000V 12A TO247
Microchip Technology
310
现货
1 : ¥138.09000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
1000 V
12A（Tc）
10V
950 毫欧 @ 6A，10V
5V @ 1mA
71 nC @ 10 V
±30V
1969 pF @ 25 V
-
298W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-247 [B]
TO-247-3
TO-247-3
G3R350MT12D
SIC MOSFET N-CH 11A TO247-3
GeneSiC Semiconductor
8,474
现货
1 : ¥38.91000
管件
管件
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
1200 V
11A（Tc）
15V
420 毫欧 @ 4A，15V
2.69V @ 2mA
12 nC @ 15 V
±15V
334 pF @ 800 V
-
74W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-247-3
TO-247-3
TO-247-3 AC EP
IMW120R350M1HXKSA1
SICFET N-CH 1.2KV 4.7A TO247-3
Infineon Technologies
1,227
现货
1 : ¥44.09000
管件
管件
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
1200 V
4.7A（Tc）
15V，18V
455 毫欧 @ 2A，18V
5.7V @ 1mA
5.3 nC @ 18 V
+23V，-7V
182 pF @ 800 V
-
60W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
PG-TO247-3-41
TO-247-3
TO-247-3 HiP
STW8N120K5
MOSFET N-CH 1200V 6A TO247
STMicroelectronics
16,670
现货
1 : ¥58.95000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
1200 V
6A（Tc）
10V
2 欧姆 @ 2.5A，10V
5V @ 100µA
13.7 nC @ 10 V
±30V
505 pF @ 100 V
-
130W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-247
TO-247-3
TO-247B
APT13F120B
MOSFET N-CH 1200V 14A TO247
Microchip Technology
375
现货
1 : ¥87.11000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
1200 V
14A（Tc）
10V
1.4 欧姆 @ 7A，10V
5V @ 1mA
145 nC @ 10 V
±30V
4765 pF @ 25 V
-
625W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-247 [B]
TO-247-3
TO-220-F
STF12N120K5
MOSFET N-CH 1200V 12A TO220FP
STMicroelectronics
590
现货
1 : ¥98.44000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
1200 V
12A（Tc）
10V
690 毫欧 @ 6A，10V
5V @ 100µA
44.2 nC @ 10 V
±30V
1370 pF @ 100 V
-
40W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-220FP
TO-220-3 整包
TO-247-3 HiP
STW12N150K5
MOSFET N-CH 1500V 7A TO247
STMicroelectronics
520
现货
1 : ¥68.88000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
1500 V
7A（Tc）
10V
1.9 欧姆 @ 3.5A，10V
5V @ 100µA
47 nC @ 10 V
±30V
1360 pF @ 100 V
-
250W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-247-3
TO-247-3
TO-247-3-PKG-Series
APT14F100B
MOSFET N-CH 1000V 14A TO247
Microchip Technology
75
现货
1 : ¥64.28000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
1000 V
14A（Tc）
10V
980 毫欧 @ 7A，10V
5V @ 1mA
120 nC @ 10 V
±30V
3965 pF @ 25 V
-
500W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-247 [B]
TO-247-3
TO-247_IXFH
IXFH15N100P
MOSFET N-CH 1000V 15A TO247AD
Littelfuse Inc.
0
现货
查看交期
1 : ¥97.86000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
1000 V
15A（Tc）
10V
760 毫欧 @ 500mA，10V
6.5V @ 1mA
97 nC @ 10 V
±30V
5140 pF @ 25 V
-
543W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-247AD（IXFH）
TO-247-3
显示
/ 11

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。