单 FET，MOSFET

结果 : 18
制造商
Infineon TechnologiesRohm Semiconductor
系列
-CoolSIC™ M1
漏源电压（Vdss）
650 V750 V1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
17A（Tc）21A（Tc）24A（Tc）26A（Tc）30A（Tc）31A（Tc）39A（Tc）56A（Tc）70A（Tc）93A（Tc）118A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
22.1 毫欧 @ 47A，18V28.6 毫欧 @ 36A，18V34 毫欧 @ 29A，18V39 毫欧 @ 27A，18V64 毫欧 @ 20.1A，18V81 毫欧 @ 12A，18V104 毫欧 @ 10A，18V137 毫欧 @ 7.6A，18V156 毫欧 @ 6.7A，18V208 毫欧 @ 5A，18V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4.8V @ 15.4mA4.8V @ 6.45mA5.6V @ 13.3mA5.6V @ 18.2mA5.6V @ 2.5mA5.6V @ 23.5mA5.6V @ 3.33mA5.6V @ 3.81mA5.6V @ 5mA5.7V @ 6mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
33 nC @ 18 V38 nC @ 18 V42 nC @ 18 V48 nC @ 18 V51 nC @ 18 V60 nC @ 18 V64 nC @ 18 V94 nC @ 18 V104 nC @ 18 V133 nC @ 18 V172 nC @ 18 V
Vgs（最大值）
+21V，-4V+22V，-4V+23V，-5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
398 pF @ 800 V460 pF @ 500 V571 pF @ 500 V574 pF @ 800 V785 pF @ 800 V1118 pF @ 400 V1498 pF @ 800 V1526 pF @ 500 V2208 pF @ 500 V2320 pF @ 500 V2884 pF @ 500 V
功率耗散（最大值）
103W103W（Tc）115W125W（Tc）134W134W（Tc）165W176W262W262W（Tc）339W339W（Tc）427W
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）175°C（TJ）
供应商器件封装
PG-TO247-3-41TO-247-4LTO-247N
封装/外壳
TO-247-3TO-247-4
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
18结果
显示
/ 18
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-247N
SCT3120ALGC11
SICFET N-CH 650V 21A TO247N
Rohm Semiconductor
5,735
现货
1 : ¥72.25000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
650 V
21A（Tc）
18V
156 毫欧 @ 6.7A，18V
5.6V @ 3.33mA
38 nC @ 18 V
+22V，-4V
460 pF @ 500 V
-
103W（Tc）
175°C（TJ）
-
-
通孔
TO-247N
TO-247-3
TO-247N
SCT3160KLGC11
SICFET N-CH 1200V 17A TO247N
Rohm Semiconductor
2,883
现货
1 : ¥82.84000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
1200 V
17A（Tc）
18V
208 毫欧 @ 5A，18V
5.6V @ 2.5mA
42 nC @ 18 V
+22V，-4V
398 pF @ 800 V
-
103W（Tc）
175°C（TJ）
-
-
通孔
TO-247N
TO-247-3
TO-247N
SCT3030ALGC11
SICFET N-CH 650V 70A TO247N
Rohm Semiconductor
9,082
现货
1 : ¥245.80000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
650 V
70A（Tc）
18V
39 毫欧 @ 27A，18V
5.6V @ 13.3mA
104 nC @ 18 V
+22V，-4V
1526 pF @ 500 V
-
262W（Tc）
175°C（TJ）
-
-
通孔
TO-247N
TO-247-3
TO-247N
SCT3022ALGC11
SICFET N-CH 650V 93A TO247N
Rohm Semiconductor
1,492
现货
1 : ¥418.54000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
650 V
93A（Tc）
18V
28.6 毫欧 @ 36A，18V
5.6V @ 18.2mA
133 nC @ 18 V
+22V，-4V
2208 pF @ 500 V
-
339W（Tc）
175°C（TJ）
-
-
通孔
TO-247N
TO-247-3
TO-247-3 AC EP
IMW65R048M1HXKSA1
MOSFET 650V NCH SIC TRENCH
Infineon Technologies
1,138
现货
1 : ¥65.68000
管件
管件
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
650 V
39A（Tc）
18V
64 毫欧 @ 20.1A，18V
5.7V @ 6mA
33 nC @ 18 V
+23V，-5V
1118 pF @ 400 V
-
125W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
通孔
PG-TO247-3-41
TO-247-3
SCT4026DRC15
SCT4026DRC15
750V, 26M, 4-PIN THD, TRENCH-STR
Rohm Semiconductor
3,821
现货
1 : ¥174.54000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
750 V
56A（Tc）
18V
34 毫欧 @ 29A，18V
4.8V @ 15.4mA
94 nC @ 18 V
+21V，-4V
2320 pF @ 500 V
-
176W
175°C（TJ）
-
-
通孔
TO-247-4L
TO-247-4
TO-247N
SCT3017ALHRC11
SICFET N-CH 650V 118A TO247N
Rohm Semiconductor
1,098
现货
1 : ¥827.55000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
650 V
118A（Tc）
18V
22.1 毫欧 @ 47A，18V
5.6V @ 23.5mA
172 nC @ 18 V
+22V，-4V
2884 pF @ 500 V
-
427W
175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
通孔
TO-247N
TO-247-3
TO-247N
SCT3120ALHRC11
SICFET N-CH 650V 21A TO247N
Rohm Semiconductor
2,216
现货
1 : ¥81.69000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
650 V
21A（Tc）
18V
156 毫欧 @ 6.7A，18V
5.6V @ 3.33mA
38 nC @ 18 V
+22V，-4V
460 pF @ 500 V
-
103W
175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
通孔
TO-247N
TO-247-3
TO-247-3
SCT3080ALGC11
SICFET N-CH 650V 30A TO247N
Rohm Semiconductor
1,516
现货
1 : ¥98.27000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
650 V
30A（Tc）
18V
104 毫欧 @ 10A，18V
5.6V @ 5mA
48 nC @ 18 V
+22V，-4V
571 pF @ 500 V
-
134W（Tc）
175°C（TJ）
-
-
通孔
TO-247N
TO-247-3
SCT4026DRHRC15
SCT4062KRHRC15
1200V, 26A, 4-PIN THD, TRENCH-ST
Rohm Semiconductor
401
现货
1 : ¥122.82000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
1200 V
26A（Tc）
18V
81 毫欧 @ 12A，18V
4.8V @ 6.45mA
64 nC @ 18 V
+21V，-4V
1498 pF @ 800 V
-
115W
175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
通孔
TO-247-4L
TO-247-4
TO-247N
SCT4062KEHRC11
1200V, 26A, 3-PIN THD, TRENCH-ST
Rohm Semiconductor
214
现货
1 : ¥122.82000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
1200 V
26A（Tc）
18V
81 毫欧 @ 12A，18V
4.8V @ 6.45mA
64 nC @ 18 V
+21V，-4V
1498 pF @ 800 V
-
115W
175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
通孔
TO-247N
TO-247-3
TO-247N
SCT3080KLHRC11
SICFET N-CH 1200V 31A TO247N
Rohm Semiconductor
833
现货
1 : ¥148.10000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
1200 V
31A（Tc）
18V
104 毫欧 @ 10A，18V
5.6V @ 5mA
60 nC @ 18 V
+22V，-4V
785 pF @ 800 V
-
165W
175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
通孔
TO-247N
TO-247-3
TO-247N
SCT3105KLHRC11
SICFET N-CH 1200V 24A TO247N
Rohm Semiconductor
441
现货
1 : ¥110.26000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
1200 V
24A（Tc）
18V
137 毫欧 @ 7.6A，18V
5.6V @ 3.81mA
51 nC @ 18 V
+22V，-4V
574 pF @ 800 V
-
134W
175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
通孔
TO-247N
TO-247-3
TO-247N
SCT3080ALHRC11
SICFET N-CH 650V 30A TO247N
Rohm Semiconductor
454
现货
1 : ¥117.07000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
650 V
30A（Tc）
18V
104 毫欧 @ 10A，18V
5.6V @ 5mA
48 nC @ 18 V
+22V，-4V
571 pF @ 500 V
-
134W
175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
通孔
TO-247N
TO-247-3
TO-247N
SCT3105KLGC11
SICFET N-CH 1200V 24A TO247N
Rohm Semiconductor
151
现货
1 : ¥118.71000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
1200 V
24A（Tc）
18V
137 毫欧 @ 7.6A，18V
5.6V @ 3.81mA
51 nC @ 18 V
+22V，-4V
574 pF @ 800 V
-
134W
175°C（TJ）
-
-
通孔
TO-247N
TO-247-3
TO-247N
SCT3030ALHRC11
SICFET N-CH 650V 70A TO247N
Rohm Semiconductor
445
现货
1 : ¥296.05000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
650 V
70A（Tc）
18V
39 毫欧 @ 27A，18V
5.6V @ 13.3mA
104 nC @ 18 V
+22V，-4V
1526 pF @ 500 V
-
262W
175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
通孔
TO-247N
TO-247-3
TO-247N
SCT3022ALHRC11
SICFET N-CH 650V 93A TO247N
Rohm Semiconductor
2,246
现货
1 : ¥445.30000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
650 V
93A（Tc）
18V
28.6 毫欧 @ 36A，18V
5.6V @ 18.2mA
133 nC @ 18 V
+22V，-4V
2208 pF @ 500 V
-
339W
175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
通孔
TO-247N
TO-247-3
TO-247N
SCT3017ALGC11
650V, 118A, THD, TRENCH-STRUCTUR
Rohm Semiconductor
441
现货
1 : ¥736.75000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
650 V
118A（Tc）
18V
22.1 毫欧 @ 47A，18V
5.6V @ 23.5mA
172 nC @ 18 V
+22V，-4V
2884 pF @ 500 V
-
427W
175°C（TJ）
-
-
通孔
TO-247N
TO-247-3
显示
/ 18

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。