单 FET，MOSFET

结果 : 3
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
53A（Tc）85A95A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
2.5 毫欧 @ 20A，10V3.7 毫欧 @ 20A，10V8.2 毫欧 @ 20A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.2V @ 250µA2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
31 nC @ 10 V70.78 nC @ 10 V93 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1988 pF @ 30 V4650 pF @ 30 V5950 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
70W（Tc）110W120W（Tj）
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
8-PowerTDFN
MCAC53N06Y-TP
MOSFET N-CH 60V 53A DFN5060
Micro Commercial Co
10,063
现货
1 : ¥6.90000
剪切带（CT）
5,000 : ¥2.70339
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
53A（Tc）
4.5V，10V
8.2 毫欧 @ 20A，10V
2.5V @ 250µA
31 nC @ 10 V
±20V
1988 pF @ 30 V
-
70W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
DFN5060
8-PowerTDFN
8-PowerTDFN
MCAC95N06Y-TP
N-CHANNEL MOSFET, DFN5060
Micro Commercial Co
3,632
现货
1 : ¥14.45000
剪切带（CT）
5,000 : ¥6.04630
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
95A（Tc）
4.5V，10V
2.5 毫欧 @ 20A，10V
2.2V @ 250µA
93 nC @ 10 V
±20V
5950 pF @ 25 V
-
120W（Tj）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
DFN5060
8-PowerTDFN
8-PowerTDFN
MCAC85N06KY-TP
N-CHANNEL MOSFET, DFN5060
Micro Commercial Co
4,942
现货
1 : ¥12.89000
剪切带（CT）
5,000 : ¥4.82309
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
85A
4.5V，10V
3.7 毫欧 @ 20A，10V
2.5V @ 250µA
70.78 nC @ 10 V
±20V
4650 pF @ 30 V
-
110W
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
DFN5060
8-PowerTDFN
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。