单 FET，MOSFET

结果 : 6
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
25A（Tc）50A（Tc）90A（Tc）100A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
3.5 毫欧 @ 100A，10V3.5 毫欧 @ 90A，10V3.8 毫欧 @ 90A，10V6.9 毫欧 @ 90A，10V9 毫欧 @ 50A，10V30 毫欧 @ 25A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.2V @ 8µA2.2V @ 90µA4V @ 34µA4V @ 40µA4V @ 90µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
16.3 nC @ 10 V47.1 nC @ 10 V56 nC @ 10 V98 nC @ 10 V128 nC @ 10 V170 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±16V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1220 pF @ 25 V3785 pF @ 25 V8000 pF @ 30 V10400 pF @ 25 V13000 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
29W（Tc）71W（Tc）79W（Tc）150W（Tc）188W（Tc）
供应商器件封装
PG-TO252-3PG-TO252-3-11
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
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制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO252-3
IPD25N06S4L30ATMA2
MOSFET N-CH 60V 25A TO252-31
Infineon Technologies
14,454
现货
1 : ¥8.54000
剪切带（CT）
2,500 : ¥3.53813
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
25A（Tc）
4.5V，10V
30 毫欧 @ 25A，10V
2.2V @ 8µA
16.3 nC @ 10 V
±16V
1220 pF @ 25 V
-
29W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PG-TO252-3-11
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
TO252-3
IPD50N06S409ATMA2
MOSFET N-CH 60V 50A TO252-31
Infineon Technologies
2,290
现货
1 : ¥10.18000
剪切带（CT）
2,500 : ¥4.20480
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
50A（Tc）
10V
9 毫欧 @ 50A，10V
4V @ 34µA
47.1 nC @ 10 V
±20V
3785 pF @ 25 V
-
71W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PG-TO252-3-11
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
TO252-3
IPD038N06N3GATMA1
MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
Infineon Technologies
2,412
现货
1 : ¥11.08000
剪切带（CT）
2,500 : ¥6.63250
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
90A（Tc）
10V
3.8 毫欧 @ 90A，10V
4V @ 90µA
98 nC @ 10 V
±20V
8000 pF @ 30 V
-
188W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-TO252-3
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
TO252-3
IPD90N06S407ATMA2
MOSFET N-CH 60V 90A TO252-31
Infineon Technologies
51,907
现货
1 : ¥11.41000
剪切带（CT）
2,500 : ¥4.71414
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
90A（Tc）
10V
6.9 毫欧 @ 90A，10V
4V @ 40µA
56 nC @ 10 V
±20V
-
-
79W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PG-TO252-3-11
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
TO252-3
IPD90N06S4L03ATMA2
MOSFET N-CH 60V 90A TO252-31
Infineon Technologies
5,256
现货
1 : ¥17.40000
剪切带（CT）
2,500 : ¥7.85320
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
90A（Tc）
4.5V，10V
3.5 毫欧 @ 90A，10V
2.2V @ 90µA
170 nC @ 10 V
±16V
13000 pF @ 25 V
-
150W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PG-TO252-3-11
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
TO252-3
IPD100N06S403ATMA2
MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3-11
Infineon Technologies
2,794
现货
1 : ¥17.82000
剪切带（CT）
2,500 : ¥8.03516
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
100A（Tc）
10V
3.5 毫欧 @ 100A，10V
4V @ 90µA
128 nC @ 10 V
±20V
10400 pF @ 25 V
-
150W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PG-TO252-3-11
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。