单 FET,MOSFET

结果 : 4
制造商
Infineon TechnologiesLittelfuse Inc.
系列
-HiPerFET™SIPMOS®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)管件
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压(Vdss)
60 V1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
1.17A(Ta)3A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
800 毫欧 @ 1.17A,10V4.5 欧姆 @ 1.5A,10V4.5 欧姆 @ 500mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2V @ 160µA5V @ 1.5mA5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
7.8 nC @ 10 V39 nC @ 10 V42 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
160 pF @ 25 V1050 pF @ 25 V1350 pF @ 25 V
功率耗散(最大值)
1.8W(Ta)200W(Tc)
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
PG-SOT223-4TO-220-3TO-263AA
封装/外壳
TO-220-3TO-261-4,TO-261AATO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果

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/ 4
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-220-3
IXFP3N120
MOSFET N-CH 1200V 3A TO220AB
Littelfuse Inc.
4,866
现货
450
工厂
1 : ¥68.47000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
1200 V
3A(Tc)
10V
4.5 欧姆 @ 500mA,10V
5V @ 1.5mA
39 nC @ 10 V
±20V
1050 pF @ 25 V
-
200W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
TO-220-3
TO-220-3
SOT-223-4
BSP315PH6327XTSA1
MOSFET P-CH 60V 1.17A SOT223-4
Infineon Technologies
29,719
现货
1 : ¥6.81000
剪切带(CT)
1,000 : ¥2.91744
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
1.17A(Ta)
4.5V,10V
800 毫欧 @ 1.17A,10V
2V @ 160µA
7.8 nC @ 10 V
±20V
160 pF @ 25 V
-
1.8W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PG-SOT223-4
TO-261-4,TO-261AA
TO-220-3
IXTP3N120
MOSFET N-CH 1200V 3A TO220AB
Littelfuse Inc.
550
现货
1 : ¥66.66000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
1200 V
3A(Tc)
10V
4.5 欧姆 @ 500mA,10V
5V @ 250µA
42 nC @ 10 V
±20V
1350 pF @ 25 V
-
200W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
TO-220-3
TO-220-3
TO-263AB
IXTA3N120-TRL
MOSFET N-CH 1200V 3A TO263
Littelfuse Inc.
0
现货
查看交期
1 : ¥66.66000
剪切带(CT)
800 : ¥42.03871
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
1200 V
3A(Tc)
10V
4.5 欧姆 @ 1.5A,10V
5V @ 250µA
42 nC @ 10 V
±20V
1350 pF @ 25 V
-
200W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
TO-263AA
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
显示
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单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。