单 FET，MOSFET

结果 : 12
制造商
Goford SemiconductorInfineon TechnologiesLittelfuse Inc.Vishay Siliconix
系列
-HEXFET®PolarP™SIPMOS®TrenchFET®TrenchP™
包装
散装管件
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
40 V50 V60 V65 V80 V85 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
28A（Tc）40A（Tc）52A（Tc）76A（Tc）80A（Tc）96A（Tc）120A（Tc）140A（Tc）150A（Tc）222A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
3 毫欧 @ 75A，10V3.7 毫欧 @ 20A，10V5.8 毫欧 @ 20A，10V9 毫欧 @ 70A，10V10 毫欧 @ 500mA，10V13 毫欧 @ 48A，10V23 毫欧 @ 64A，10V25 毫欧 @ 38A，10V45 毫欧 @ 14A，10V50毫欧 @ 52A，10V60 毫欧 @ 24A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.5V @ 250µA4V @ 150µA4V @ 250µA4V @ 5.5mA4.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
46 nC @ 10 V60 nC @ 10 V170 nC @ 10 V173 nC @ 10 V180 nC @ 10 V185 nC @ 10 V190 nC @ 10 V197 nC @ 10 V200 nC @ 10 V206 nC @ 10 V218 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±15V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
2030 pF @ 25 V2700 pF @ 25 V2845 pF @ 25 V5033 pF @ 25 V6540 pF @ 50 V7000 pF @ 50 V9600 pF @ 40 V13100 pF @ 25 V13200 pF @ 25 V13500 pF @ 25 V13700 pF @ 25 V15087 pF @ 20 V
功率耗散（最大值）
83W（Tc）200W（Tc）298W（Tc）300W（Tc）312W（Tc）340W（Tc）375W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
PG-TO220-3-1TO-220TO-220-3TO-220ABTO-263AA
封装/外壳
TO-220-3TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
12结果
显示
/ 12
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-220AB PKG
IRF5210PBF
MOSFET P-CH 100V 40A TO220AB
Infineon Technologies
7,560
现货
1 : ¥19.79000
管件
管件
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
40A（Tc）
10V
60 毫欧 @ 24A，10V
4V @ 250µA
180 nC @ 10 V
±20V
2700 pF @ 25 V
-
200W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-220AB
TO-220-3
TO-220-3
SPP80P06PHXKSA1
MOSFET P-CH 60V 80A TO220-3
Infineon Technologies
2,166
现货
1 : ¥29.97000
管件
管件
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
80A（Tc）
10V
23 毫欧 @ 64A，10V
4V @ 5.5mA
173 nC @ 10 V
±20V
5033 pF @ 25 V
-
340W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
PG-TO220-3-1
TO-220-3
TO-220-3
IXTP96P085T
MOSFET P-CH 85V 96A TO220AB
Littelfuse Inc.
7,715
现货
1 : ¥35.14000
管件
管件
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
85 V
96A（Tc）
10V
13 毫欧 @ 48A，10V
4V @ 250µA
180 nC @ 10 V
±15V
13100 pF @ 25 V
-
298W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-220-3
TO-220-3
TO-220-3
IXTP76P10T
MOSFET P-CH 100V 76A TO220AB
Littelfuse Inc.
7,766
现货
1 : ¥49.92000
管件
管件
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
76A（Tc）
10V
25 毫欧 @ 38A，10V
4V @ 250µA
197 nC @ 10 V
±15V
13700 pF @ 25 V
-
298W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-220-3
TO-220-3
TO-220-3
IXTP140P05T
MOSFET P-CH 50V 140A TO220AB
Littelfuse Inc.
9,266
现货
1 : ¥61.74000
管件
管件
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
50 V
140A（Tc）
10V
9 毫欧 @ 70A，10V
4V @ 250µA
200 nC @ 10 V
±15V
13500 pF @ 25 V
-
298W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-220-3
TO-220-3
TO-220AB PKG
IRFB3206PBF
MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB
Infineon Technologies
25,534
现货
1 : ¥18.39000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
120A（Tc）
10V
3 毫欧 @ 75A，10V
4V @ 150µA
170 nC @ 10 V
±20V
6540 pF @ 50 V
-
300W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-220AB
TO-220-3
TO-220AB_3Pin
SUP60061EL-GE3
P-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET TO-2
Vishay Siliconix
1,464
现货
1 : ¥30.29000
散装
散装
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
150A（Tc）
4.5V，10V
5.8 毫欧 @ 20A，10V
2.5V @ 250µA
218 nC @ 10 V
±20V
9600 pF @ 40 V
-
375W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-220AB
TO-220-3
TO-220-3
IXTP28P065T
MOSFET P-CH 65V 28A TO220AB
Littelfuse Inc.
290
现货
1,000
工厂
1 : ¥29.47000
管件
管件
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
65 V
28A（Tc）
10V
45 毫欧 @ 14A，10V
4.5V @ 250µA
46 nC @ 10 V
±15V
2030 pF @ 25 V
-
83W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-220-3
TO-220-3
TO-220-3
IXTP52P10P
MOSFET P-CH 100V 52A TO220AB
Littelfuse Inc.
381
现货
400
工厂
1 : ¥52.87000
管件
管件
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
52A（Tc）
10V
50毫欧 @ 52A，10V
4.5V @ 250µA
60 nC @ 10 V
±20V
2845 pF @ 25 V
-
300W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-220-3
TO-220-3
TO-263AB
IXTA120P065T
MOSFET P-CH 65V 120A TO263
Littelfuse Inc.
99
现货
1 : ¥51.39000
管件
管件
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
65 V
120A（Tc）
10V
10 毫欧 @ 500mA，10V
4V @ 250µA
185 nC @ 10 V
±15V
13200 pF @ 25 V
-
298W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
TO-263AA
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
TO-220AB
SUP70101EL-GE3
MOSFET P-CH 100V 120A TO220AB
Vishay Siliconix
0
现货
查看交期
1 : ¥23.40000
管件
管件
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
120A（Tc）
4.5V，10V
-
2.5V @ 250µA
190 nC @ 10 V
±20V
7000 pF @ 50 V
-
375W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-220AB
TO-220-3
GT250P10T
G040P04T
MOSFET P-CH 40V 222A TO-220
Goford Semiconductor
24
现货
1 : ¥14.94000
管件
-
管件
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
222A（Tc）
4.5V，10V
3.7 毫欧 @ 20A，10V
2.5V @ 250µA
206 nC @ 10 V
±20V
15087 pF @ 20 V
-
312W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-220
TO-220-3
显示
/ 12

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。