单 FET,MOSFET

结果 : 10
漏源电压(Vdss)
75 V100 V250 V500 V600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
30A(Tc)40A(Tc)64A(Tc)80A(Tc)90A(Tc)200A(Tc)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
11 毫欧 @ 100A,10V24 毫欧 @ 40A,10V32 毫欧 @ 32A,10V33 毫欧 @ 45A,10V140 毫欧 @ 15A,10V170 毫欧 @ 20A,10V200 毫欧 @ 15A,10V240 毫欧 @ 15A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4.5V @ 250µA4.5V @ 3mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
100 nC @ 10 V103 nC @ 10 V130 nC @ 10 V240 nC @ 10 V320 nC @ 10 V335 nC @ 10 V540 nC @ 10 V640 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
3200 pF @ 25 V3600 pF @ 25 V3620 pF @ 25 V8100 pF @ 25 V10400 pF @ 25 V10700 pF @ 25 V23000 pF @ 25 V
功率耗散(最大值)
355W(Tc)357W(Tc)400W(Tc)540W(Tc)960W(Tc)1040W(Tc)
供应商器件封装
TO-220TO-220-3TO-247(IXTH)TO-264(IXTK)TO-3P
封装/外壳
TO-220-3TO-247-3TO-264-3,TO-264AATO-3P-3,SC-65-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
10结果

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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-264
IXTK200N10L2
MOSFET N-CH 100V 200A TO264
Littelfuse Inc.
519
现货
1 : ¥306.14000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
200A(Tc)
10V
11 毫欧 @ 100A,10V
4.5V @ 3mA
540 nC @ 10 V
±20V
23000 pF @ 25 V
-
1040W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
TO-264(IXTK)
TO-264-3,TO-264AA
TO-247-AD-EP-(H)
IXTH30N50L2
MOSFET N-CH 500V 30A TO247
Littelfuse Inc.
893
现货
1 : ¥254.01000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
500 V
30A(Tc)
10V
200 毫欧 @ 15A,10V
4.5V @ 250µA
240 nC @ 10 V
±20V
8100 pF @ 25 V
-
400W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
TO-247(IXTH)
TO-247-3
TO-247-AD-EP-(H)
IXTH64N10L2
MOSFET N-CH 100V 64A TO247
Littelfuse Inc.
285
现货
1 : ¥72.90000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
64A(Tc)
10V
32 毫欧 @ 32A,10V
4.5V @ 250µA
100 nC @ 10 V
±20V
3620 pF @ 25 V
-
357W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
TO-247(IXTH)
TO-247-3
TO-220
IXTP64N10L2
MOSFET N-CH 100V 64A TO220AB
Littelfuse Inc.
679
现货
300
工厂
1 : ¥146.96000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
64A(Tc)
10V
32 毫欧 @ 32A,10V
4.5V @ 250µA
100 nC @ 10 V
±20V
3620 pF @ 25 V
-
357W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
TO-220
TO-220-3
TO-264
IXTK90N25L2
MOSFET N-CH 250V 90A TO264
Littelfuse Inc.
1,302
现货
1 : ¥286.52000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
250 V
90A(Tc)
10V
33 毫欧 @ 45A,10V
4.5V @ 3mA
640 nC @ 10 V
±20V
23000 pF @ 25 V
-
960W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
TO-264(IXTK)
TO-264-3,TO-264AA
TO-220-3
IXTP80N075L2
MOSFET N-CH 75V 80A TO220AB
Littelfuse Inc.
37
现货
1 : ¥61.08000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
75 V
80A(Tc)
10V
24 毫欧 @ 40A,10V
4.5V @ 250µA
103 nC @ 10 V
±20V
3600 pF @ 25 V
-
357W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
TO-220-3
TO-220-3
TO-3P
IXTQ40N50L2
MOSFET N-CH 500V 40A TO3P
Littelfuse Inc.
0
现货
查看交期
1 : ¥152.95000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
500 V
40A(Tc)
10V
170 毫欧 @ 20A,10V
4.5V @ 250µA
320 nC @ 10 V
±20V
10400 pF @ 25 V
-
540W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
TO-3P
TO-3P-3,SC-65-3
TO-247-AD-EP-(H)
IXTH30N60L2
MOSFET N-CH 600V 30A TO247
Littelfuse Inc.
0
现货
查看交期
1 : ¥159.43000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
30A(Tc)
10V
240 毫欧 @ 15A,10V
4.5V @ 250µA
335 nC @ 10 V
±20V
10700 pF @ 25 V
-
540W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
TO-247(IXTH)
TO-247-3
TO-247-AD-EP-(H)
IXTH40N50L2
MOSFET N-CH 500V 40A TO247
Littelfuse Inc.
0
现货
查看交期
1 : ¥263.78000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
500 V
40A(Tc)
10V
170 毫欧 @ 20A,10V
4.5V @ 250µA
320 nC @ 10 V
±20V
10400 pF @ 25 V
-
540W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
TO-247(IXTH)
TO-247-3
MOSFET N-CH 250V 30A TO247
IXTH30N25L2
MOSFET N-CH 250V 30A TO247
Littelfuse Inc.
0
现货
1,140
工厂
查看交期
300 : ¥127.90300
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
250 V
30A(Tc)
10V
140 毫欧 @ 15A,10V
4.5V @ 250µA
130 nC @ 10 V
±20V
3200 pF @ 25 V
-
355W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
TO-247(IXTH)
TO-247-3
显示
/ 10

单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。