单 FET，MOSFET

结果 : 7
制造商
Littelfuse Inc.onsemiSTMicroelectronics
系列
Linear L2™MDmesh™UniFET™
漏源电压（Vdss）
250 V500 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
30A（Tc）40A（Tc）45A（Tc）60A（Tc）90A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
33 毫欧 @ 45A，10V100 毫欧 @ 22.5A，10V100 毫欧 @ 30A，10V120 毫欧 @ 22.5A，10V170 毫欧 @ 20A，10V200 毫欧 @ 15A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4.5V @ 250µA4.5V @ 3mA5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
117 nC @ 10 V137 nC @ 10 V240 nC @ 10 V320 nC @ 10 V610 nC @ 10 V640 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
3700 pF @ 25 V6630 pF @ 25 V8100 pF @ 25 V10400 pF @ 25 V23000 pF @ 25 V24000 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
400W（Tc）417W（Tc）540W（Tc）625W（Tc）960W（Tc）
工作温度
-65°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 150°C（TJ）
供应商器件封装
TO-247-3TO-247（IXTH）TO-264（IXTK）TO-3P
封装/外壳
TO-247-3TO-264-3，TO-264AATO-3P-3，SC-65-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
7结果
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/ 7
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-247-3 AD EP
FDH45N50F-F133
MOSFET N-CH 500V 45A TO247-3
onsemi
341
现货
1 : ¥49.83000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
500 V
45A（Tc）
10V
120 毫欧 @ 22.5A，10V
5V @ 250µA
137 nC @ 10 V
±30V
6630 pF @ 25 V
-
625W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-247-3
TO-247-3
TO-264
IXTK60N50L2
MOSFET N-CH 500V 60A TO264
Littelfuse Inc.
474
现货
1 : ¥306.14000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
500 V
60A（Tc）
10V
100 毫欧 @ 30A，10V
4.5V @ 250µA
610 nC @ 10 V
±30V
24000 pF @ 25 V
-
960W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-264（IXTK）
TO-264-3，TO-264AA
TO-247-AD-EP-(H)
IXTH30N50L2
MOSFET N-CH 500V 30A TO247
Littelfuse Inc.
893
现货
1 : ¥254.01000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
500 V
30A（Tc）
10V
200 毫欧 @ 15A，10V
4.5V @ 250µA
240 nC @ 10 V
±20V
8100 pF @ 25 V
-
400W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-247（IXTH）
TO-247-3
TO-264
IXTK90N25L2
MOSFET N-CH 250V 90A TO264
Littelfuse Inc.
1,302
现货
1 : ¥286.52000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
250 V
90A（Tc）
10V
33 毫欧 @ 45A，10V
4.5V @ 3mA
640 nC @ 10 V
±20V
23000 pF @ 25 V
-
960W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-264（IXTK）
TO-264-3，TO-264AA
TO-3P
IXTQ40N50L2
MOSFET N-CH 500V 40A TO3P
Littelfuse Inc.
0
现货
查看交期
1 : ¥152.95000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
500 V
40A（Tc）
10V
170 毫欧 @ 20A，10V
4.5V @ 250µA
320 nC @ 10 V
±20V
10400 pF @ 25 V
-
540W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-3P
TO-3P-3，SC-65-3
TO-247-AD-EP-(H)
IXTH40N50L2
MOSFET N-CH 500V 40A TO247
Littelfuse Inc.
0
现货
查看交期
1 : ¥263.78000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
500 V
40A（Tc）
10V
170 毫欧 @ 20A，10V
4.5V @ 250µA
320 nC @ 10 V
±20V
10400 pF @ 25 V
-
540W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-247（IXTH）
TO-247-3
TO-247-3 HiP
STW45NM50
MOSFET N-CH 500V 45A TO247-3
STMicroelectronics
0
现货
查看交期
1 : ¥97.61000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
500 V
45A（Tc）
10V
100 毫欧 @ 22.5A，10V
5V @ 250µA
117 nC @ 10 V
±30V
3700 pF @ 25 V
-
417W（Tc）
-65°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-247-3
TO-247-3
显示
/ 7

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。