单 FET，MOSFET

结果 : 9
技术
SiC（碳化硅结晶体管）SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）
650 V1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
20A（Tc）36A（Tc）40A（Tc）58A（Tc）60A（Tc）100A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
20 毫欧 @ 50A，18V22 毫欧 @ 50A，18V38 毫欧 @ 29A，18V41 毫欧 @ 30A，18V59 毫欧 @ 20A，18V62 毫欧 @ 20A，18V65 毫欧 @ 20A，18V78 毫欧 @ 18A，18V182 毫欧 @ 10A，18V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
5V @ 1.6mA5V @ 11.7mA5V @ 13mA5V @ 1mA5V @ 3mA5V @ 4.2mA5V @ 6.7mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
24 nC @ 18 V41 nC @ 18 V46 nC @ 18 V57 nC @ 18 V65 nC @ 18 V82 nC @ 18 V128 nC @ 18 V158 nC @ 18 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
691 pF @ 800 V1362 pF @ 400 V1530 pF @ 800 V1969 pF @ 800 V2288 pF @ 400 V2925 pF @ 800 V4850 pF @ 400 V6000 pF @ 800 V
功率耗散（最大值）
107W（Tc）132W（Tc）156W（Tc）170W（Tc）182W（Tc）249W（Tc）342W（Tc）431W（Tc）
供应商器件封装
TO-247TO-247-4L（X）
封装/外壳
TO-247-3TO-247-4
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
9结果
显示
/ 9
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
121
现货
1 : ¥196.38000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
1200 V
40A（Tc）
18V
59 毫欧 @ 20A，18V
5V @ 6.7mA
57 nC @ 18 V
+25V，-10V
1969 pF @ 800 V
-
182W（Tc）
175°C
通孔
TO-247
TO-247-3
57
现货
1 : ¥533.80000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
1200 V
100A（Tc）
18V
20 毫欧 @ 50A，18V
5V @ 11.7mA
158 nC @ 18 V
+25V，-10V
6000 pF @ 800 V
-
431W（Tc）
175°C
通孔
TO-247
TO-247-3
G3 650V SIC-MOSFET TO-247-4L 27
TW027Z65C,S1F
G3 650V SIC-MOSFET TO-247-4L 27
Toshiba Semiconductor and Storage
120
现货
1 : ¥178.97000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiC（碳化硅结晶体管）
650 V
58A（Tc）
18V
38 毫欧 @ 29A，18V
5V @ 3mA
65 nC @ 18 V
+25V，-10V
2288 pF @ 400 V
-
156W（Tc）
175°C
通孔
TO-247-4L（X）
TO-247-4
107
现货
1 : ¥246.70000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiC（碳化硅结晶体管）
1200 V
60A（Tc）
18V
41 毫欧 @ 30A，18V
5V @ 13mA
82 nC @ 18 V
+25V，-10V
2925 pF @ 800 V
-
249W（Tc）
175°C
通孔
TO-247-4L（X）
TO-247-4
G3 650V SIC-MOSFET TO-247-4L 15
TW015Z65C,S1F
G3 650V SIC-MOSFET TO-247-4L 15
Toshiba Semiconductor and Storage
108
现货
1 : ¥383.32000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiC（碳化硅结晶体管）
650 V
100A（Tc）
18V
22 毫欧 @ 50A，18V
5V @ 11.7mA
128 nC @ 18 V
+25V，-10V
4850 pF @ 400 V
-
342W（Tc）
175°C
通孔
TO-247-4L（X）
TO-247-4
90
现货
1 : ¥94.25000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
1200 V
20A（Tc）
18V
182 毫欧 @ 10A，18V
5V @ 1mA
24 nC @ 18 V
+25V，-10V
691 pF @ 800 V
-
107W（Tc）
175°C
通孔
TO-247
TO-247-3
TW015N65C,S1F
TW048N65C,S1F
G3 650V SIC-MOSFET TO-247 48MOH
Toshiba Semiconductor and Storage
32
现货
1 : ¥137.19000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
650 V
40A（Tc）
18V
65 毫欧 @ 20A，18V
5V @ 1.6mA
41 nC @ 18 V
+25V，-10V
1362 pF @ 400 V
-
132W（Tc）
175°C
通孔
TO-247
TO-247-3
45
现货
1 : ¥159.84000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
1200 V
36A（Tc）
18V
78 毫欧 @ 18A，18V
5V @ 4.2mA
46 nC @ 18 V
+25V，-10V
1530 pF @ 800 V
-
170W（Tc）
175°C
通孔
TO-247
TO-247-3
77
现货
1 : ¥183.74000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiC（碳化硅结晶体管）
1200 V
40A（Tc）
18V
62 毫欧 @ 20A，18V
5V @ 6.7mA
57 nC @ 18 V
+25V，-10V
1969 pF @ 800 V
-
182W（Tc）
175°C
通孔
TO-247-4L（X）
TO-247-4
显示
/ 9

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。