RF FET，MOSFET

结果 : 5
制造商
Ampleon USA Inc.MACOM Technology SolutionsNXP USA Inc.
系列
-ARTBLPGaN
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）托盘
技术
HEMTLDMOS
频率
0Hz ~ 3GHz1MHz ~ 1.5GHz1MHz ~ 650MHz520MHz2.5GHz
增益
11dB17dB18.5dB20dB31dB
电压 - 测试
12.5 V28 V50 V65 V
额定电流（安培）
1.2µA8.7A28A-
电流 - 测试
20 mA400 mA600 mA1 A
功率 - 输出
70W100W116W130W150W
电压 - 额定
40 V50 V84 V125 V200 V
安装类型
底座安装表面贴装型
封装/外壳
440193440223SOT-1483-1SOT-467CTO-270AB
供应商器件封装
440193440223SOT1483-1SOT467CTO-270 WB-4
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
5结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
技术
配置
频率
增益
电压 - 测试
额定电流（安培）
噪声系数
电流 - 测试
功率 - 输出
电压 - 额定
等级
资质
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
1603; SOT1483-1; ; 2
BLP15H9S100GZ
RF MOSFET LDMOS SOT1483-1
Ampleon USA Inc.
413
现货
1 : ¥208.20000
剪切带（CT）
500 : ¥148.87118
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
LDMOS
-
1MHz ~ 1.5GHz
17dB
-
-
-
-
100W
50 V
-
-
表面贴装型
SOT-1483-1
SOT1483-1
CGHV40100F
CGHV40100F
RF MOSFET HEMT 50V 440193
MACOM Technology Solutions
100
现货
1 : ¥2,612.61000
托盘
托盘
在售
HEMT
-
0Hz ~ 3GHz
11dB
50 V
8.7A
-
600 mA
116W
125 V
-
-
-
440193
440193
CG2H40120F
CG2H40120F
RF MOSFET HEMT 28V 440223
MACOM Technology Solutions
83
现货
1 : ¥3,150.51000
托盘
-
托盘
在售
HEMT
-
2.5GHz
20dB
28 V
28A
-
1 A
130W
84 V
-
-
底座安装
440223
440223
TO-270 WB-4
AFT05MP075NR1
RF MOSFET LDMOS 12.5V TO270-4
NXP USA Inc.
2,338
现货
1 : ¥173.80000
剪切带（CT）
500 : ¥120.02586
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
LDMOS
双
520MHz
18.5dB
12.5 V
-
-
400 mA
70W
40 V
-
-
表面贴装型
TO-270AB
TO-270 WB-4
ART150FEU
ART150FEU
RF MOSFET LDMOS 65V SOT467C
Ampleon USA Inc.
45
现货
1 : ¥933.78000
托盘
托盘
在售
LDMOS
-
1MHz ~ 650MHz
31dB
65 V
1.2µA
-
20 mA
150W
200 V
-
-
底座安装
SOT-467C
SOT467C
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RF FET，MOSFET

射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件，器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。