单 FET,MOSFET

结果 : 2
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
产品状态
最后售卖在售
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
86A(Tc)140A(Tc)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
4.5 毫欧 @ 15A,10V5.8 毫欧 @ 25A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.3V @ 250µA2.35V @ 50µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
23 nC @ 4.5 V50 nC @ 4.5 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
2150 pF @ 15 V4010 pF @ 15 V
功率耗散(最大值)
75W(Tc)140W(Tc)
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果

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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO252-3
IRLR8726TRPBF
MOSFET N-CH 30V 86A DPAK
Infineon Technologies
17,723
现货
1 : ¥5.09000
剪切带(CT)
2,000 : ¥1.70863
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
86A(Tc)
4.5V,10V
5.8 毫欧 @ 25A,10V
2.35V @ 50µA
23 nC @ 4.5 V
±20V
2150 pF @ 15 V
-
75W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
表面贴装型
TO-252AA (DPAK)
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO252-3
IRLR7833TRPBF
MOSFET N-CH 30V 140A DPAK
Infineon Technologies
1,203
现货
1 : ¥9.44000
剪切带(CT)
2,000 : ¥3.89695
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
最后售卖
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
140A(Tc)
4.5V,10V
4.5 毫欧 @ 15A,10V
2.3V @ 250µA
50 nC @ 4.5 V
±20V
4010 pF @ 15 V
-
140W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
表面贴装型
TO-252AA (DPAK)
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
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单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。