单 FET,MOSFET

结果 : 9
制造商
IXYSLittelfuse Inc.Toshiba Semiconductor and StorageVishay Siliconix
系列
FRFET®, SupreMOS®HiPerFET™, TrenchHiPerFET™, Ultra X3TrenchFET®TrenchFET® Gen IVTrenchT2™U-MOSIX-H
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)管件
漏源电压(Vdss)
40 V60 V100 V150 V200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
220A(Tc)360A(Tc)400A(Ta)400A(Tc)575A(Tc)600A(Tc)602A(Tc)701A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
6V,10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
0.3mOhm @ 200A,10V0.53 毫欧 @ 20A,10V0.85 毫欧 @ 20A,10V0.9 毫欧 @ 20A,10V1.3 毫欧 @ 100A,10V1.5 毫欧 @ 100A,10V2.5 毫欧 @ 200A,10V2.6 毫欧 @ 180A,10V7.5 毫欧 @ 60A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3V @ 1mA3.3V @ 250µA3.5V @ 250µA4.5V @ 250µA4.5V @ 8mA5V @ 8mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
145 nC @ 10 V275 nC @ 10 V288 nC @ 10 V295 nC @ 10 V365 nC @ 10 V378 nC @ 10 V505 nC @ 10 V590 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
9020 pF @ 25 V16070 pF @ 25 V17000 pF @ 25 V23700 pF @ 25 V26910 pF @ 10 V28000 pF @ 25 V36000 pF @ 25 V40000 pF @ 25 V
功率耗散(最大值)
600W(Tc)695W(Tc)750W(Tc)830W(Tc)1090W(Tc)1250W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)175°C
安装类型
底座安装表面贴装型通孔
供应商器件封装
24-SMPDL-TOGL™PowerPAK® 8 x 8SOT-227BTO-264(IXTK)
封装/外壳
8-PowerBSFN24-PowerSMD,21 引线PowerPAK® 8 x 8SOT-227-4,miniBLOCTO-264-3,TO-264AA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
9结果

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/ 9
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
PowerPAK_8X8L_Top
SQJQ160E-T1_GE3
AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)
Vishay Siliconix
3,311
现货
1 : ¥27.83000
剪切带(CT)
2,000 : ¥13.56380
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
602A(Tc)
10V
0.85 毫欧 @ 20A,10V
3.5V @ 250µA
275 nC @ 10 V
±20V
16070 pF @ 25 V
-
600W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PowerPAK® 8 x 8
PowerPAK® 8 x 8
4,053
现货
1 : ¥58.70000
剪切带(CT)
1,500 : ¥25.03901
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
400A(Ta)
6V,10V
0.3mOhm @ 200A,10V
3V @ 1mA
295 nC @ 10 V
±20V
26910 pF @ 10 V
-
750W(Tc)
175°C
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
L-TOGL™
8-PowerBSFN
IXYK1x0xNxxxx
IXFN230N20T
MOSFET N-CH 200V 220A SOT227B
Littelfuse Inc.
920
现货
1 : ¥300.55000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
200 V
220A(Tc)
10V
7.5 毫欧 @ 60A,10V
5V @ 8mA
378 nC @ 10 V
±20V
28000 pF @ 25 V
-
1090W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
底座安装
SOT-227B
SOT-227-4,miniBLOC
PowerPAK-8x8L
SQJQ140E-T1_GE3
AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S)
Vishay Siliconix
9,645
现货
1 : ¥27.01000
剪切带(CT)
2,000 : ¥13.13703
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
701A(Tc)
10V
0.53 毫欧 @ 20A,10V
3.3V @ 250µA
288 nC @ 10 V
±20V
17000 pF @ 25 V
-
600W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerPAK® 8 x 8
PowerPAK® 8 x 8
IXYK1x0xNxxxx
IXFN400N15X3
MOSFET N-CH 150V 400A SOT227B
Littelfuse Inc.
141
现货
1 : ¥380.76000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
150 V
400A(Tc)
10V
2.5 毫欧 @ 200A,10V
4.5V @ 8mA
365 nC @ 10 V
±20V
23700 pF @ 25 V
-
695W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
底座安装
SOT-227B
SOT-227-4,miniBLOC
PowerPAK-8x8LR
SQJQ144AER-T1_GE3
AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S)
Vishay Siliconix
956
现货
1 : ¥22.17000
剪切带(CT)
2,000 : ¥10.78176
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
575A(Tc)
10V
0.9 毫欧 @ 20A,10V
3.5V @ 250µA
145 nC @ 10 V
±20V
9020 pF @ 25 V
-
600W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PowerPAK® 8 x 8
PowerPAK® 8 x 8
IXYK1x0xNxxxx
IXFN360N10T
MOSFET N-CH 100V 360A SOT-227B
Littelfuse Inc.
0
现货
查看交期
1 : ¥227.32000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
360A(Tc)
10V
2.6 毫欧 @ 180A,10V
4.5V @ 250µA
505 nC @ 10 V
±20V
36000 pF @ 25 V
-
830W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
底座安装
SOT-227B
SOT-227-4,miniBLOC
MMIX1T600N04T2
MMIX1T600N04T2
MOSFET N-CH 40V 600A 24SMPD
IXYS
0
现货
查看交期
1 : ¥311.39000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
600A(Tc)
10V
1.3 毫欧 @ 100A,10V
3.5V @ 250µA
590 nC @ 10 V
±20V
40000 pF @ 25 V
-
830W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
24-SMPD
24-PowerSMD,21 引线
TO-264
IXTK600N04T2
MOSFET N-CH 40V 600A TO264
Littelfuse Inc.
0
现货
查看交期
300 : ¥138.26813
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
600A(Tc)
10V
1.5 毫欧 @ 100A,10V
3.5V @ 250µA
590 nC @ 10 V
±20V
40000 pF @ 25 V
-
1250W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-264(IXTK)
TO-264-3,TO-264AA
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单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。