单二极管
结果 : 4
电流 - 平均整流 (Io)
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏
不同 Vr、F 时电容
封装/外壳
供应商器件封装
库存选项
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市场产品
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比较 | 制造商零件编号 | 现有数量 | 价格 | 系列 | 包装 | 产品状态 | 技术 | 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值) | 电流 - 平均整流 (Io) | 不同 If 时电压 - 正向 (Vf) | 速度 | 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 | 不同 Vr、F 时电容 | 等级 | 资质 | 安装类型 | 封装/外壳 | 供应商器件封装 | 工作温度 - 结 |
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1,000 现货 | 1 : ¥74.22000 管件 | - | 管件 | 在售 | SiC(Silicon Carbide)Schottky | 1200 V | 15A | 1.5 V @ 15 A | 无恢复时间 > 500mA(Io) | 75 µA @ 1200 V | 56pF @ 800V,1MHz | - | - | 通孔 | TO-220-2 | TO-220AC | -55°C ~ 175°C | ||
500 现货 | 1 : ¥79.49000 管件 | - | 管件 | 在售 | SiC(Silicon Carbide)Schottky | 1200 V | 15A | 1.5 V @ 15 A | 无恢复时间 > 500mA(Io) | 75 µA @ 1200 V | 56pF @ 800V,1MHz | - | - | 通孔 | TO-247-2 | TO-247AD | -55°C ~ 175°C | ||
500 现货 | 1 : ¥119.70000 管件 | - | 管件 | 在售 | SiC(Silicon Carbide)Schottky | 1200 V | 30A | 1.5 V @ 30 A | 无恢复时间 > 500mA(Io) | 75 µA @ 1200 V | 56pF @ 800V,1MHz | - | - | 通孔 | TO-247-3 | TO-247AD | -55°C ~ 175°C | ||
500 现货 | 1 : ¥144.27000 管件 | - | 管件 | 在售 | SiC(Silicon Carbide)Schottky | 1200 V | 40A | 1.5 V @ 40 A | 无恢复时间 > 500mA(Io) | 110 µA @ 1200 V | 73pF @ 800V,1MHz | - | - | 通孔 | TO-247-3 | TO-247AD | -55°C ~ 175°C |
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