单双极晶体管

结果 : 2
制造商
Diodes Incorporatedonsemi
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)散装
产品状态
停产在售
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)
3.5 A5 A
电压 - 集射极击穿(最大值)
80 V450 V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)
325mV @ 300mA,3.5A1.5V @ 500mA,2.5A
电流 - 集电极截止(最大值)
25nA1mA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)
300 @ 200mA,2V-
功率 - 最大值
3 W100 W
频率 - 跃迁
160MHz-
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型通孔
封装/外壳
3-UDFNTO-220-3
供应商器件封装
DFN2020B-3TO-220-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果

显示
/ 2
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
晶体管类型
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)
电压 - 集射极击穿(最大值)
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)
电流 - 集电极截止(最大值)
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)
功率 - 最大值
频率 - 跃迁
工作温度
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
X1-DFN1411-3
ZXTN620MATA
TRANS NPN 80V 3.5A DFN2020B-3
Diodes Incorporated
33,899
现货
255,000
工厂
1 : ¥4.35000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.23147
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
NPN
3.5 A
80 V
325mV @ 300mA,3.5A
25nA
300 @ 200mA,2V
3 W
160MHz
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
3-UDFN
DFN2020B-3
TO-220-3
BUT11A
TRANS NPN 450V 5A TO220-3
onsemi
851
现货
1 : ¥13.79000
散装
-
散装
停产
NPN
5 A
450 V
1.5V @ 500mA,2.5A
1mA
-
100 W
-
150°C(TJ)
通孔
TO-220-3
TO-220-3
显示
/ 2

单双极晶体管


分立式双极性结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。按照构成晶体管的半导体层顺序的不同,BJT 分为 NPN 和 PNP 两种类型。NPN 晶体管在两层 N 型材料之间夹着一层薄的 P 型半导体,而 PNP 晶体管则是在两层 P 型半导体之间夹着一层 N 型半导体。这使得这两种晶体管的操作极性完全相反。NPN 晶体管吸收电流,而 PNP 晶体管输出电流。