单 FET，MOSFET

结果 : 2
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
36A（Tc）57A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
54 毫欧 @ 20A，18V87 毫欧 @ 15A，18V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4.4V @ 10mA4.4V @ 7mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
57 nC @ 18 V75 nC @ 18 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1230 pF @ 800 V1700 pF @ 800 V
功率耗散（最大值）
172W（Tc）263W（Tc）
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
显示
/ 2
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
D2PAK-7
NTBG070N120M3S
SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - E
onsemi
1,423
现货
1 : ¥52.46000
剪切带（CT）
800 : ¥33.08100
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
SiC（碳化硅结晶体管）
1200 V
36A（Tc）
18V
87 毫欧 @ 15A，18V
4.4V @ 7mA
57 nC @ 18 V
+22V，-10V
1230 pF @ 800 V
-
172W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
D2PAK-7
TO-263-8，D2PAK（7 引线 + 凸片），TO-263CA
D2PAK-7
NTBG040N120M3S
SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - E
onsemi
705
现货
1 : ¥77.75000
剪切带（CT）
800 : ¥48.99765
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
SiC（碳化硅结晶体管）
1200 V
57A（Tc）
18V
54 毫欧 @ 20A，18V
4.4V @ 10mA
75 nC @ 18 V
+22V，-10V
1700 pF @ 800 V
-
263W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
D2PAK-7
TO-263-8，D2PAK（7 引线 + 凸片），TO-263CA
显示
/ 2

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。