单 FET，MOSFET

结果 : 4
制造商
Infineon Technologiesonsemi
系列
CoolMOS™CoolMOS™ CFD7CoolMOS™ P7PowerTrench®
产品状态
不适用于新设计在售
漏源电压（Vdss）
150 V600 V650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
46A（Tc）48A（Tc）50A（Tc）130A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
7.5 毫欧 @ 100A，10V41 毫欧 @ 24.8A，10V60 毫欧 @ 15.9A，10V83 毫欧 @ 29A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250µA4V @ 800µA4.5V @ 1.24mA5V @ 2.9mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
67 nC @ 10 V100 nC @ 10 V102 nC @ 10 V322 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
2895 pF @ 400 V4975 pF @ 400 V7350 pF @ 75 V7700 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
164W（Tc）227W（Tc）333W（Tc）417W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
PG-TO247-3PG-TO247-3-1TO-220-3
封装/外壳
TO-220-3TO-247-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果
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/ 4
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
PG-TO247-3
IPW60R060P7XKSA1
MOSFET N-CH 600V 48A TO247-3
Infineon Technologies
437
现货
1 : ¥49.01000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
600 V
48A（Tc）
10V
60 毫欧 @ 15.9A，10V
4V @ 800µA
67 nC @ 10 V
±20V
2895 pF @ 400 V
-
164W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
PG-TO247-3
TO-247-3
TO-220-3
FDP075N15A-F102
MOSFET N-CH 150V 130A TO220-3
onsemi
620
现货
1 : ¥35.96000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
150 V
130A（Tc）
10V
7.5 毫欧 @ 100A，10V
4V @ 250µA
100 nC @ 10 V
±20V
7350 pF @ 75 V
-
333W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-220-3
TO-220-3
370
现货
1 : ¥71.26000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
650 V
50A（Tc）
10V
41 毫欧 @ 24.8A，10V
4.5V @ 1.24mA
102 nC @ 10 V
±20V
4975 pF @ 400 V
-
227W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
PG-TO247-3
TO-247-3
PG-TO247-3
SPW47N60CFDFKSA1
MOSFET N-CH 600V 46A TO247-3
Infineon Technologies
0
现货
240 : ¥99.78367
管件
管件
不适用于新设计
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
600 V
46A（Tc）
10V
83 毫欧 @ 29A，10V
5V @ 2.9mA
322 nC @ 10 V
±20V
7700 pF @ 25 V
-
417W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
PG-TO247-3-1
TO-247-3
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。