单 FET,MOSFET
结果 : 6
制造商
系列
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
功率耗散(最大值)
工作温度
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
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比较 | 制造商零件编号 | 现有数量 | 价格 | 系列 | 包装 | 产品状态 | FET 类型 | 技术 | 漏源电压(Vdss) | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | Vgs(最大值) | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | FET 功能 | 功率耗散(最大值) | 工作温度 | 安装类型 | 供应商器件封装 | 封装/外壳 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
31,506 现货 | 1 : ¥7.63000 管件 | 管件 | 在售 | P 通道 | MOSFET(金属氧化物) | 100 V | 14A(Tc) | 10V | 200 毫欧 @ 8.4A,10V | 4V @ 250µA | 58 nC @ 10 V | ±20V | 760 pF @ 25 V | - | 79W(Tc) | -55°C ~ 175°C(TJ) | 通孔 | TO-220AB | TO-220-3 | |||
2,488 现货 | 1 : ¥11.41000 管件 | 管件 | 在售 | P 通道 | MOSFET(金属氧化物) | 100 V | 23A(Tc) | 10V | 117 毫欧 @ 11A,10V | 4V @ 250µA | 97 nC @ 10 V | ±20V | 1300 pF @ 25 V | - | 140W(Tc) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 通孔 | TO-220AB | TO-220-3 | |||
3,009 现货 | 1 : ¥16.99000 管件 | - | 管件 | 在售 | P 通道 | MOSFET(金属氧化物) | 100 V | 19A(Tc) | 10V | 200 毫欧 @ 11A,10V | 4V @ 250µA | 61 nC @ 10 V | ±20V | 1400 pF @ 25 V | - | 150W(Tc) | -55°C ~ 175°C(TJ) | 通孔 | TO-220AB | TO-220-3 | ||
39,017 现货 | 1 : ¥17.40000 管件 | 管件 | 在售 | P 通道 | MOSFET(金属氧化物) | 55 V | 74A(Tc) | 10V | 20 毫欧 @ 38A,10V | 4V @ 250µA | 180 nC @ 10 V | ±20V | 3400 pF @ 25 V | - | 200W(Tc) | -55°C ~ 175°C(TJ) | 通孔 | TO-220AB | TO-220-3 | |||
3,292 现货 | 1 : ¥22.99000 管件 | 管件 | 在售 | P 通道 | MOSFET(金属氧化物) | 60 V | 9.2A(Ta),53A(Tc) | 4.5V,10V | 19.5 毫欧 @ 30A,10V | 3V @ 250µA | 115 nC @ 10 V | ±20V | 3500 pF @ 25 V | - | 3.1W(Ta),104.2W(Tc) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 通孔 | TO-220AB | TO-220-3 | |||
0 现货 查看交期 | 1 : ¥23.40000 管件 | 管件 | 在售 | P 通道 | MOSFET(金属氧化物) | 100 V | 120A(Tc) | 4.5V,10V | - | 2.5V @ 250µA | 190 nC @ 10 V | ±20V | 7000 pF @ 50 V | - | 375W(Tc) | -55°C ~ 175°C(TJ) | 通孔 | TO-220AB | TO-220-3 |
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