单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
onsemiSTMicroelectronics
系列
QFET®SuperMESH™
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
8A（Tc）8.3A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
1.38 欧姆 @ 4.15A，10V1.45 欧姆 @ 4A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4.5V @ 100µA5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
70 nC @ 10 V162 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
3220 pF @ 25 V3500 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
225W（Tc）230W（Tc）
供应商器件封装
TO-247-3TO-3PN
封装/外壳
TO-247-3TO-3P-3，SC-65-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-247-3 HiP
STW11NK100Z
MOSFET N-CH 1000V 8.3A TO247-3
STMicroelectronics
523
现货
1 : ¥52.79000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
1000 V
8.3A（Tc）
10V
1.38 欧姆 @ 4.15A，10V
4.5V @ 100µA
162 nC @ 10 V
±30V
3500 pF @ 25 V
-
230W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-247-3
TO-247-3
TO-3P-3,TO-247-3
FQA8N100C
MOSFET N-CH 1000V 8A TO3PN
onsemi
48
现货
1 : ¥44.66000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
1000 V
8A（Tc）
10V
1.45 欧姆 @ 4A，10V
5V @ 250µA
70 nC @ 10 V
±30V
3220 pF @ 25 V
-
225W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-3PN
TO-3P-3，SC-65-3
显示
/ 2

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。