FET、MOSFET 阵列

结果 : 3
制造商
Diodes Incorporatedonsemi
系列
-PowerTrench®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
FET 功能
-逻辑电平门
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
4.8A5.2A6A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
29 毫欧 @ 6A,10V31 毫欧 @ 6A,10V34 毫欧 @ 6A,10V
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
11nC @ 5V18nC @ 10V18.6nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
453pF @ 20V945pF @ 20V955pF @ 20V
功率 - 最大值
1.42W1.8W2W
供应商器件封装
8-SO8-SOIC
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果

显示
/ 3
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
技术
配置
FET 功能
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
功率 - 最大值
工作温度
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
8-SOIC
FDS8949
MOSFET 2N-CH 40V 6A 8SOIC
onsemi
15,718
现货
1 : ¥9.44000
剪切带(CT)
2,500 : ¥3.89355
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 N-通道(双)
逻辑电平门
40V
6A
29 毫欧 @ 6A,10V
3V @ 250µA
11nC @ 5V
955pF @ 20V
2W
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-SOIC
8 SO
DMN4034SSD-13
MOSFET 2N-CH 40V 4.8A 8SO
Diodes Incorporated
22,608
现货
22,500
工厂
1 : ¥6.73000
剪切带(CT)
2,500 : ¥2.77961
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 N-通道(双)
逻辑电平门
40V
4.8A
34 毫欧 @ 6A,10V
3V @ 250µA
18nC @ 10V
453pF @ 20V
1.8W
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-SO
8 SO
DMN4031SSDQ-13
MOSFET 2N-CH 40V 5.2A 8SO
Diodes Incorporated
2,500
现货
77,500
工厂
1 : ¥5.42000
剪切带(CT)
2,500 : ¥2.04651
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 N-通道(双)
-
40V
5.2A
31 毫欧 @ 6A,10V
3V @ 250µA
18.6nC @ 10V
945pF @ 20V
1.42W
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-SO
显示
/ 3

FET、MOSFET 阵列


场效应晶体管 (FET) 是使用电场控制电流流动的电子器件。向栅极端子施加电压会改变漏极端子和源极端子之间的电导率。FET 也称为单极型晶体管,因为其涉及单载流子类型的操作。也就是说,FET 在操作中使用电子或空穴作为载流子,而不是同时使用两者。场效应晶体管通常在低频下显示出极高的输入阻抗。