单 FET，MOSFET

结果 : 3
系列
HiPerFET™, Polar3™HiPerFET™, TrenchHiPerFET™, Ultra X3
漏源电压（Vdss）
250 V300 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
150A（Tc）180A（Tc）210A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
8.3 毫欧 @ 75A，10V12.9 毫欧 @ 60A，10V14.5 毫欧 @ 105A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4.5V @ 4mA5V @ 8mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
177 nC @ 10 V268 nC @ 10 V345 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
13100 pF @ 25 V16200 pF @ 25 V28000 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
890W（Tc）1390W（Tc）1890W（Tc）
供应商器件封装
PLUS264™TO-264TO-264AA（IXFK）
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-264
IXFK180N25T
MOSFET N-CH 250V 180A TO264AA
Littelfuse Inc.
210
现货
1 : ¥159.19000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
250 V
180A（Tc）
10V
12.9 毫欧 @ 60A，10V
5V @ 8mA
345 nC @ 10 V
±20V
28000 pF @ 25 V
-
1390W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-264AA（IXFK）
TO-264-3，TO-264AA
TO-264
IXFK150N30X3
MOSFET N-CH 300V 150A TO264
Littelfuse Inc.
320
现货
1 : ¥162.06000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
300 V
150A（Tc）
10V
8.3 毫欧 @ 75A，10V
4.5V @ 4mA
177 nC @ 10 V
±20V
13100 pF @ 25 V
-
890W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-264
TO-264-3，TO-264AA
TO-264
IXFB210N30P3
MOSFET N-CH 300V 210A PLUS264
Littelfuse Inc.
0
现货
查看交期
1 : ¥255.24000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
300 V
210A（Tc）
10V
14.5 毫欧 @ 105A，10V
5V @ 8mA
268 nC @ 10 V
±20V
16200 pF @ 25 V
-
1890W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
PLUS264™
TO-264-3，TO-264AA
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。