单 FET，MOSFET

结果 : 6
制造商
Infineon Technologiesonsemi
系列
HEXFET®OptiMOS™PowerTrench®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
20 V40 V80 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
86A（Tc）90A（Tc）100A（Tc）523A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.5V，4.5V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
0.69 毫欧 @ 100A，10V3.1 毫欧 @ 76A，10V4 毫欧 @ 21A，4.5V4.1 毫欧 @ 90A，10V4.2 毫欧 @ 80A，10V5.2 毫欧 @ 86A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.1V @ 50µA3.9V @ 100µA3.9V @ 250µA4V @ 250µA4V @ 30µA4V @ 35µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
37 nC @ 10 V43 nC @ 10 V72 nC @ 4.5 V88 nC @ 10 V99 nC @ 10 V460 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±12V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
2960 pF @ 25 V3171 pF @ 25 V3440 pF @ 25 V3770 pF @ 10 V4840 pF @ 40 V13975 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
63W（Tc）65W（Tc）71W（Tc）99W（Tc）227W（Tj）375W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）-50°C ~ 150°C（TJ）
供应商器件封装
PG-TO252-3-313PG-TO263-7TO-252（DPAK）TO-252AA (DPAK)
封装/外壳
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63TO-263-7，D2PAK（6 引线 + 凸片）
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
6结果
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/ 6
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO252-3
IRLR6225TRPBF
MOSFET N-CH 20V 100A DPAK
Infineon Technologies
5,206
现货
1 : ¥8.87000
剪切带（CT）
2,000 : ¥3.65928
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
100A（Tc）
2.5V，4.5V
4 毫欧 @ 21A，4.5V
1.1V @ 50µA
72 nC @ 4.5 V
±12V
3770 pF @ 10 V
-
63W（Tc）
-50°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-252AA (DPAK)
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
TO-252 DPAK
FDD86367
MOSFET N-CH 80V 100A DPAK
onsemi
34,867
现货
1 : ¥12.40000
剪切带（CT）
2,500 : ¥7.38472
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
100A（Tc）
10V
4.2 毫欧 @ 80A，10V
4V @ 250µA
88 nC @ 10 V
±20V
4840 pF @ 40 V
-
227W（Tj）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-252（DPAK）
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
PG-TO263-7
AUIRFSA8409-7TRL
MOSFET N-CH 40V 523A D2PAK
Infineon Technologies
1,481
现货
1 : ¥54.60000
剪切带（CT）
800 : ¥32.95273
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
523A（Tc）
10V
0.69 毫欧 @ 100A，10V
3.9V @ 250µA
460 nC @ 10 V
±20V
13975 pF @ 25 V
-
375W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PG-TO263-7
TO-263-7，D2PAK（6 引线 + 凸片）
TO252-3
IPD90N04S405ATMA1
MOSFET N-CH 40V 86A TO252-3
Infineon Technologies
9,299
现货
1 : ¥10.34000
剪切带（CT）
2,500 : ¥4.29422
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
86A（Tc）
10V
5.2 毫欧 @ 86A，10V
4V @ 30µA
37 nC @ 10 V
±20V
2960 pF @ 25 V
-
65W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PG-TO252-3-313
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
TO252-3
IPD90N04S404ATMA1
MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3
Infineon Technologies
2,499
现货
1 : ¥11.41000
剪切带（CT）
2,500 : ¥4.71075
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
90A（Tc）
10V
4.1 毫欧 @ 90A，10V
4V @ 35µA
43 nC @ 10 V
±20V
3440 pF @ 25 V
-
71W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PG-TO252-3-313
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
TO252-3
AUIRFR8403TRL
MOSFET N-CH 40V 100A DPAK
Infineon Technologies
2,997
现货
1 : ¥19.05000
剪切带（CT）
3,000 : ¥8.59761
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
100A（Tc）
10V
3.1 毫欧 @ 76A，10V
3.9V @ 100µA
99 nC @ 10 V
±20V
3171 pF @ 25 V
-
99W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-252AA (DPAK)
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
显示
/ 6

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。