单 FET，MOSFET

结果 : 3
系列
MDmesh™ II PlusMDmesh™ M6
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
25A（Tc）26A（Tc）30A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
99 毫欧 @ 15A，10V125 毫欧 @ 13A，10V128毫欧 @ 12.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250µA4.75V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
35 nC @ 10 V44.3 nC @ 10 V45.5 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1500 pF @ 100 V1781 pF @ 100 V1960 pF @ 100 V
功率耗散（最大值）
35W（Tc）40W（Tc）190W（Tc）
供应商器件封装
TO-220TO-220FP
封装/外壳
TO-220-3TO-220-3 整包
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-220-F
STF36N60M6
MOSFET N-CH 600V 30A TO220FP
STMicroelectronics
1,596
现货
1 : ¥54.10000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
600 V
30A（Tc）
10V
99 毫欧 @ 15A，10V
4.75V @ 250µA
44.3 nC @ 10 V
±25V
1960 pF @ 100 V
-
40W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-220FP
TO-220-3 整包
TO-220-3
STP33N60M2
MOSFET N-CH 600V 26A TO220
STMicroelectronics
636
现货
1 : ¥31.94000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
600 V
26A（Tc）
10V
125 毫欧 @ 13A，10V
4V @ 250µA
45.5 nC @ 10 V
±25V
1781 pF @ 100 V
-
190W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-220
TO-220-3
TO-220-F
STF33N60DM6
MOSFET N-CH 600V 25A TO220FP
STMicroelectronics
605
现货
1 : ¥23.15000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
600 V
25A（Tc）
10V
128毫欧 @ 12.5A，10V
4.75V @ 250µA
35 nC @ 10 V
±25V
1500 pF @ 100 V
-
35W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-220FP
TO-220-3 整包
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。