单 FET，MOSFET

结果 : 6
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）带盒（TB）袋
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
13mA（Tj）30mA（Tj）
功率耗散（最大值）
360mW（Ta）740mW（Ta）1.6W（Ta）
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
SOT-23-3SOT-23（TO-236AB）SOT-89-3TO-92-3
封装/外壳
TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）TO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-243AA
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媒体
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制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
LND150K1-G
MOSFET N-CH 500V 13MA SOT23-3
Microchip Technology
37,114
现货
1 : ¥4.10000
剪切带（CT）
3,000 : ¥3.03763
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
500 V
13mA（Tj）
0V
1000 欧姆 @ 500µA，0V
-
±20V
10 pF @ 25 V
耗尽模式
360mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
TO-92-3(StandardBody),TO-226_straightlead
LND150N3-G
MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3
Microchip Technology
6,399
现货
1 : ¥4.93000
袋
-
袋
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
500 V
30mA（Tj）
0V
1000 欧姆 @ 500µA，0V
-
±20V
10 pF @ 25 V
耗尽模式
740mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-92-3
TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
C04-029 MB
LND150N8-G
MOSFET N-CH 500V 30MA SOT89-3
Microchip Technology
38,741
现货
1 : ¥6.49000
剪切带（CT）
2,000 : ¥4.92589
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
500 V
30mA（Tj）
0V
1000 欧姆 @ 500µA，0V
-
±20V
10 pF @ 25 V
耗尽模式
1.6W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-89-3
TO-243AA
SOT23 PKG
LND250K1-G
MOSFET N-CH 500V 13MA SOT23
Microchip Technology
15,897
现货
1 : ¥4.35000
剪切带（CT）
3,000 : ¥3.59179
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
500 V
13mA（Tj）
0V
1000 欧姆 @ 500µA，0V
-
±20V
10 pF @ 25 V
耗尽模式
360mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23（TO-236AB）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
TO-92-3(StandardBody),TO-226_straightlead
LND150N3-G-P014
MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3
Microchip Technology
1,940
现货
1 : ¥5.58000
剪切带（CT）
2,000 : ¥4.26910
带盒（TB）
-
剪切带（CT）
带盒（TB）
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
500 V
30mA（Tj）
0V
1000 欧姆 @ 500µA，0V
-
±20V
10 pF @ 25 V
耗尽模式
740mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-92-3
TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
TO-92-3(StandardBody),TO-226_straightlead
LND150N3-G-P002
MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3
Microchip Technology
1,833
现货
1 : ¥5.58000
剪切带（CT）
2,000 : ¥4.26910
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
500 V
30mA（Tj）
0V
1000 欧姆 @ 500µA，0V
-
±20V
10 pF @ 25 V
耗尽模式
740mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-92-3
TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。