单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
onsemiSTMicroelectronics
系列
MESH OVERLAY™QFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
15A（Tc）19.4A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
150 毫欧 @ 9.7A，10V160 毫欧 @ 7.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250µA5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
24 nC @ 10 V40 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
800 pF @ 25 V1600 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
3.13W（Ta），140W（Tc）90W（Tc）
供应商器件封装
D2PAKTO-263（D2PAK）
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
D²PAK
STB19NF20
MOSFET N-CH 200V 15A D2PAK
STMicroelectronics
1,543
现货
1 : ¥12.64000
剪切带（CT）
1,000 : ¥5.57282
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
200 V
15A（Tc）
10V
160 毫欧 @ 7.5A，10V
4V @ 250µA
24 nC @ 10 V
±20V
800 pF @ 25 V
-
90W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
D2PAK
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
TO-263
FQB19N20TM
MOSFET N-CH 200V 19.4A D2PAK
onsemi
2,245
现货
1 : ¥17.73000
剪切带（CT）
800 : ¥9.90965
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
200 V
19.4A（Tc）
10V
150 毫欧 @ 9.7A，10V
5V @ 250µA
40 nC @ 10 V
±30V
1600 pF @ 25 V
-
3.13W（Ta），140W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
TO-263（D2PAK）
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。