单 FET,MOSFET
结果 : 19
制造商
系列
包装
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
供应商器件封装
封装/外壳
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比较 | 制造商零件编号 | 现有数量 | 价格 | 系列 | 包装 | 产品状态 | FET 类型 | 技术 | 漏源电压(Vdss) | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | Vgs(最大值) | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | FET 功能 | 功率耗散(最大值) | 工作温度 | 安装类型 | 供应商器件封装 | 封装/外壳 |
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2,677 现货 | 1 : ¥59.19000 管件 | 管件 | 在售 | N 通道 | SiCFET(碳化硅) | 1700 V | 9A(Tc) | 15V | 585 毫欧 @ 4A,15V | 2.7V @ 2mA | 18 nC @ 15 V | ±15V | 454 pF @ 1000 V | - | 88W(Tc) | -55°C ~ 175°C(TJ) | 通孔 | TO-247-3 | TO-247-3 | |||
2,753 现货 | 1 : ¥60.75000 管件 | 管件 | 在售 | N 通道 | SiCFET(碳化硅) | 1200 V | 7.6A(Tc) | 15V | 455 毫欧 @ 3.6A,15V | 3.6V @ 1mA | 19 nC @ 15 V | +15V,-4V | 345 pF @ 1000 V | - | 50W(Tc) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 通孔 | TO-247-3 | TO-247-3 | |||
2,575 现货 | 1 : ¥93.35000 管件 | 管件 | 在售 | N 通道 | SiCFET(碳化硅) | 1700 V | 4.9A(Tc) | 20V | 1.1 欧姆 @ 2A,20V | 4V @ 500µA | 13 nC @ 20 V | +25V,-10V | 191 pF @ 1000 V | - | 69W(Tc) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 通孔 | TO-247-3 | TO-247-3 | |||
606 现货 | 1 : ¥100.49000 管件 | 管件 | 在售 | N 通道 | SiCFET(碳化硅) | 1700 V | 21A(Tc) | 15V | 208 毫欧 @ 12A,15V | 2.7V @ 5mA | 51 nC @ 15 V | ±15V | 1272 pF @ 1000 V | - | 175W(Tc) | -55°C ~ 175°C(TJ) | 通孔 | TO-247-3 | TO-247-3 | |||
242 现货 | 1 : ¥250.07000 管件 | 管件 | 在售 | N 通道 | SiC(碳化硅结晶体管) | 2000 V | 34A(Tc) | 15V,18V | 98 毫欧 @ 13A,18V | 5.5V @ 7.7mA | 64 nC @ 18 V | +20V,-7V | - | - | 267W(Tc) | -55°C ~ 175°C(TJ) | 通孔 | PG-TO247-4-U04 | TO-247-4 | |||
971 现货 | 1 : ¥268.71000 管件 | 管件 | 在售 | N 通道 | SiCFET(碳化硅) | 1700 V | 61A(Tc) | 15V | 58 毫欧 @ 40A,15V | 2.7V @ 8mA | 182 nC @ 15 V | ±15V | 4523 pF @ 1000 V | - | 438W(Tc) | -55°C ~ 175°C(TJ) | 通孔 | TO-247-3 | TO-247-3 | |||
749 现货 | 1 : ¥271.50000 管件 | 管件 | 在售 | N 通道 | SiCFET(碳化硅) | 1700 V | 61A(Tc) | 15V | 58 毫欧 @ 40A,15V | 2.7V @ 8mA | 182 nC @ 15 V | ±15V | 4523 pF @ 1000 V | - | 438W(Tc) | -55°C ~ 175°C(TJ) | 通孔 | TO-247-4 | TO-247-4 | |||
708 现货 | 1 : ¥293.83000 管件 | 管件 | 在售 | N 通道 | SiCFET(碳化硅) | 650 V | 120A(Tc) | 15V | 21 毫欧 @ 55.8A,15V | 3.6V @ 15.5mA | 188 nC @ 15 V | +15V,-4V | 5011 pF @ 400 V | - | 416W(Tc) | -40°C ~ 175°C(TJ) | 通孔 | TO-247-3 | TO-247-3 | |||
8,474 现货 | 1 : ¥38.91000 管件 | 管件 | 在售 | N 通道 | SiCFET(碳化硅) | 1200 V | 11A(Tc) | 15V | 420 毫欧 @ 4A,15V | 2.69V @ 2mA | 12 nC @ 15 V | ±15V | 334 pF @ 800 V | - | 74W(Tc) | -55°C ~ 175°C(TJ) | 通孔 | TO-247-3 | TO-247-3 | |||
1,227 现货 | 1 : ¥44.09000 管件 | 管件 | 在售 | N 通道 | SiCFET(碳化硅) | 1200 V | 4.7A(Tc) | 15V,18V | 455 毫欧 @ 2A,18V | 5.7V @ 1mA | 5.3 nC @ 18 V | +23V,-7V | 182 pF @ 800 V | - | 60W(Tc) | -55°C ~ 175°C(TJ) | 通孔 | PG-TO247-3-41 | TO-247-3 | |||
245 现货 | 1 : ¥109.19000 管件 | 管件 | 在售 | N 通道 | SiCFET(碳化硅) | 650 V | 58A(Tc) | 18V | 42 毫欧 @ 29.5A,18V | 5.7V @ 8.8mA | 48 nC @ 18 V | +20V,-2V | 1643 pF @ 400 V | - | 197W(Tc) | -55°C ~ 175°C(TJ) | 通孔 | PG-TO247-3-41 | TO-247-3 | |||
157 现货 | 1 : ¥224.54000 管件 | - | 管件 | 在售 | N 通道 | SiCFET(碳化硅) | 650 V | 163A(Tc) | 15V,18V | 18 毫欧 @ 75A,18V | 4.3V @ 25mA | 283 nC @ 18 V | +22V,-8V | 4790 pF @ 325 V | - | 643W(Tc) | -55°C ~ 175°C(TJ) | 通孔 | TO-247-3 | TO-247-3 | ||
170 现货 | 1 : ¥46.06000 管件 | - | 管件 | 在售 | N 通道 | SiCFET(碳化硅) | 1700 V | 7A(Tc) | 20V | 940 毫欧 @ 2.5A,20V | 3.25V @ 100µA(典型值) | 11 nC @ 20 V | +23V,-10V | 184 pF @ 1360 V | - | 68W(Tc) | -55°C ~ 175°C(TJ) | 通孔 | TO-247-4 | TO-247-4 | ||
120 现货 | 30 : ¥65.76067 管件 | - | 管件 | 在售 | N 通道 | MOSFET(金属氧化物) | 1200 V | 21A(Tc) | 5V,20V | 225 毫欧 @ 8A,20V | 4.5V @ 500µA | 36 nC @ 20 V | +23V,-10V | 530 pF @ 1000 V | - | 147W(Tc) | -55°C ~ 175°C(TJ) | 通孔 | TO-247-3 | TO-247-3 | ||
2,297 现货 | 1 : ¥69.04000 管件 | - | 管件 | 在售 | N 通道 | SiCFET(碳化硅) | 1200 V | 22A(Tc) | 20V | 200 毫欧 @ 10A,20V | 4V @ 5mA | 57 nC @ 20 V | +22V,-6V | 870 pF @ 800 V | - | 125W(Tc) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 通孔 | TO-247AD | TO-247-3 | ||
1,369 现货 | 1 : ¥93.76000 管件 | - | 管件 | 在售 | N 通道 | SiCFET(碳化硅) | 1200 V | 35A(Tc) | 20V | 100 毫欧 @ 20A,20V | 4V @ 10mA | 58 nC @ 20 V | +25V,-10V | 1377 pF @ 1000 V | - | 188W(Tc) | -55°C ~ 175°C(TJ) | 通孔 | TO-247-3 | TO-247-3 | ||
338 现货 | 1 : ¥136.12000 散装 | - | 散装 | 在售 | N 通道 | SiC(碳化硅结晶体管) | 1200 V | 39A | 18V | 85 毫欧 @ 20A,18V | 3.6V @ 5mA | 41 nC @ 18 V | +22V,-8V | 890 pF @ 1000 V | - | 223W(Tc) | -55°C ~ 175°C(TJ) | 通孔 | TO-247-4 | TO-247-4 | ||
10 现货 | 1 : ¥178.97000 管件 | 管件 | 在售 | N 通道 | MOSFET(金属氧化物) | 1700 V | 2A(Tj) | 0V | 6.5 欧姆 @ 1A,0V | - | 110 nC @ 5 V | ±20V | 3650 pF @ 10 V | 耗尽模式 | 568W(Tc) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 通孔 | TO-247(IXTH) | TO-247-3 | |||
27 现货 1,830 工厂 | 1 : ¥160.99000 管件 | - | 管件 | 在售 | N 通道 | SiCFET(碳化硅) | 1200 V | 37.2A(Tc) | 15V | 100 毫欧 @ 20A,15V | 3.5V @ 5mA | 52 nC @ 15 V | +19V,-8V | 1516 pF @ 1000 V | - | 208W(Tc) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 通孔 | TO-247-4 | TO-247-4 |
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