单 FET,MOSFET

结果 : 19
制造商
Diodes IncorporatedGeneSiC SemiconductorInfineon TechnologiesLittelfuse Inc.Micro Commercial CoMicrochip TechnologyonsemiSemiQWolfspeed, Inc.
系列
-C3M™CoolSiC™DepletionG3R™Z-FET™
包装
散装管件
技术
MOSFET(金属氧化物)SiC(碳化硅结晶体管)SiCFET(碳化硅)
漏源电压(Vdss)
650 V1200 V1700 V2000 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
2A(Tj)4.7A(Tc)4.9A(Tc)7A(Tc)7.6A(Tc)9A(Tc)11A(Tc)21A(Tc)22A(Tc)34A(Tc)35A(Tc)37.2A(Tc)39A58A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
0V5V,20V15V15V,18V18V20V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
18 毫欧 @ 75A,18V21 毫欧 @ 55.8A,15V42 毫欧 @ 29.5A,18V58 毫欧 @ 40A,15V85 毫欧 @ 20A,18V98 毫欧 @ 13A,18V100 毫欧 @ 20A,15V100 毫欧 @ 20A,20V200 毫欧 @ 10A,20V208 毫欧 @ 12A,15V225 毫欧 @ 8A,20V420 毫欧 @ 4A,15V455 毫欧 @ 2A,18V455 毫欧 @ 3.6A,15V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.69V @ 2mA2.7V @ 2mA2.7V @ 5mA2.7V @ 8mA3.25V @ 100µA(典型值)3.5V @ 5mA3.6V @ 15.5mA3.6V @ 1mA3.6V @ 5mA4V @ 10mA4V @ 500µA4V @ 5mA4.3V @ 25mA4.5V @ 500µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
5.3 nC @ 18 V11 nC @ 20 V12 nC @ 15 V13 nC @ 20 V18 nC @ 15 V19 nC @ 15 V36 nC @ 20 V41 nC @ 18 V48 nC @ 18 V51 nC @ 15 V52 nC @ 15 V57 nC @ 20 V58 nC @ 20 V64 nC @ 18 V
Vgs(最大值)
+15V,-4V±15V+19V,-8V+20V,-2V+20V,-7V±20V+22V,-6V+22V,-8V+23V,-10V+23V,-7V+25V,-10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
182 pF @ 800 V184 pF @ 1360 V191 pF @ 1000 V334 pF @ 800 V345 pF @ 1000 V454 pF @ 1000 V530 pF @ 1000 V870 pF @ 800 V890 pF @ 1000 V1272 pF @ 1000 V1377 pF @ 1000 V1516 pF @ 1000 V1643 pF @ 400 V3650 pF @ 10 V
FET 功能
-耗尽模式
功率耗散(最大值)
50W(Tc)60W(Tc)68W(Tc)69W(Tc)74W(Tc)88W(Tc)125W(Tc)147W(Tc)175W(Tc)188W(Tc)197W(Tc)208W(Tc)223W(Tc)267W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)-40°C ~ 175°C(TJ)
供应商器件封装
PG-TO247-3-41PG-TO247-4-U04TO-247-3TO-247-4TO-247(IXTH)TO-247AD
封装/外壳
TO-247-3TO-247-4
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
19结果

显示
/ 19
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-247-3
G3R450MT17D
SIC MOSFET N-CH 9A TO247-3
GeneSiC Semiconductor
2,677
现货
1 : ¥59.19000
管件
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1700 V
9A(Tc)
15V
585 毫欧 @ 4A,15V
2.7V @ 2mA
18 nC @ 15 V
±15V
454 pF @ 1000 V
-
88W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
通孔
TO-247-3
TO-247-3
C2D10120D
C3M0350120D
SICFET N-CH 1200V 7.6A TO247-3
Wolfspeed, Inc.
2,753
现货
1 : ¥60.75000
管件
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1200 V
7.6A(Tc)
15V
455 毫欧 @ 3.6A,15V
3.6V @ 1mA
19 nC @ 15 V
+15V,-4V
345 pF @ 1000 V
-
50W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
TO-247-3
TO-247-3
C2D10120D
C2M1000170D
SICFET N-CH 1700V 4.9A TO247-3
Wolfspeed, Inc.
2,575
现货
1 : ¥93.35000
管件
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1700 V
4.9A(Tc)
20V
1.1 欧姆 @ 2A,20V
4V @ 500µA
13 nC @ 20 V
+25V,-10V
191 pF @ 1000 V
-
69W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
TO-247-3
TO-247-3
TO-247-3
G3R160MT17D
SIC MOSFET N-CH 21A TO247-3
GeneSiC Semiconductor
606
现货
1 : ¥100.49000
管件
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1700 V
21A(Tc)
15V
208 毫欧 @ 12A,15V
2.7V @ 5mA
51 nC @ 15 V
±15V
1272 pF @ 1000 V
-
175W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
通孔
TO-247-3
TO-247-3
242
现货
1 : ¥250.07000
管件
管件
在售
N 通道
SiC(碳化硅结晶体管)
2000 V
34A(Tc)
15V,18V
98 毫欧 @ 13A,18V
5.5V @ 7.7mA
64 nC @ 18 V
+20V,-7V
-
-
267W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
通孔
PG-TO247-4-U04
TO-247-4
TO-247-3
G3R45MT17D
SIC MOSFET N-CH 61A TO247-3
GeneSiC Semiconductor
971
现货
1 : ¥268.71000
管件
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1700 V
61A(Tc)
15V
58 毫欧 @ 40A,15V
2.7V @ 8mA
182 nC @ 15 V
±15V
4523 pF @ 1000 V
-
438W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
通孔
TO-247-3
TO-247-3
TO-247-4 Top
G3R45MT17K
SIC MOSFET N-CH 61A TO247-4
GeneSiC Semiconductor
749
现货
1 : ¥271.50000
管件
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1700 V
61A(Tc)
15V
58 毫欧 @ 40A,15V
2.7V @ 8mA
182 nC @ 15 V
±15V
4523 pF @ 1000 V
-
438W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
通孔
TO-247-4
TO-247-4
C2D10120D
C3M0015065D
SICFET N-CH 650V 120A TO247-3
Wolfspeed, Inc.
708
现货
1 : ¥293.83000
管件
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
650 V
120A(Tc)
15V
21 毫欧 @ 55.8A,15V
3.6V @ 15.5mA
188 nC @ 15 V
+15V,-4V
5011 pF @ 400 V
-
416W(Tc)
-40°C ~ 175°C(TJ)
通孔
TO-247-3
TO-247-3
TO-247-3
G3R350MT12D
SIC MOSFET N-CH 11A TO247-3
GeneSiC Semiconductor
8,474
现货
1 : ¥38.91000
管件
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1200 V
11A(Tc)
15V
420 毫欧 @ 4A,15V
2.69V @ 2mA
12 nC @ 15 V
±15V
334 pF @ 800 V
-
74W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
通孔
TO-247-3
TO-247-3
TO-247-3 AC EP
IMW120R350M1HXKSA1
SICFET N-CH 1.2KV 4.7A TO247-3
Infineon Technologies
1,227
现货
1 : ¥44.09000
管件
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1200 V
4.7A(Tc)
15V,18V
455 毫欧 @ 2A,18V
5.7V @ 1mA
5.3 nC @ 18 V
+23V,-7V
182 pF @ 800 V
-
60W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
通孔
PG-TO247-3-41
TO-247-3
IMW65R030M1HXKSA1
IMW65R030M1HXKSA1
SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247
Infineon Technologies
245
现货
1 : ¥109.19000
管件
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
650 V
58A(Tc)
18V
42 毫欧 @ 29.5A,18V
5.7V @ 8.8mA
48 nC @ 18 V
+20V,-2V
1643 pF @ 400 V
-
197W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
通孔
PG-TO247-3-41
TO-247-3
TO-247-3
NTHL015N065SC1
SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - 1
onsemi
157
现货
1 : ¥224.54000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
650 V
163A(Tc)
15V,18V
18 毫欧 @ 75A,18V
4.3V @ 25mA
283 nC @ 18 V
+22V,-8V
4790 pF @ 325 V
-
643W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
通孔
TO-247-3
TO-247-3
TO-247-4
MSC750SMA170B4
TRANS SJT 1700V TO247-4
Microchip Technology
170
现货
1 : ¥46.06000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1700 V
7A(Tc)
20V
940 毫欧 @ 2.5A,20V
3.25V @ 100µA(典型值)
11 nC @ 20 V
+23V,-10V
184 pF @ 1360 V
-
68W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
通孔
TO-247-4
TO-247-4
TO-247-3
MSC180SMA120B
MOSFET 1200V 25A TO-247
Microchip Technology
120
现货
30 : ¥65.76067
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
1200 V
21A(Tc)
5V,20V
225 毫欧 @ 8A,20V
4.5V @ 500µA
36 nC @ 20 V
+23V,-10V
530 pF @ 1000 V
-
147W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
通孔
TO-247-3
TO-247-3
TO-247-3 AD Long Lead EP
LSIC1MO120E0160
SICFET N-CH 1200V 22A TO247-3
Littelfuse Inc.
2,297
现货
1 : ¥69.04000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1200 V
22A(Tc)
20V
200 毫欧 @ 10A,20V
4V @ 5mA
57 nC @ 20 V
+22V,-6V
870 pF @ 800 V
-
125W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
TO-247AD
TO-247-3
GP2T080A120U
GP2T080A120U
SIC MOSFET 1200V 80M TO-247-3L
SemiQ
1,369
现货
1 : ¥93.76000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1200 V
35A(Tc)
20V
100 毫欧 @ 20A,20V
4V @ 10mA
58 nC @ 20 V
+25V,-10V
1377 pF @ 1000 V
-
188W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
通孔
TO-247-3
TO-247-3
MSJW20N65A-BP
SICW080N120Y4-BP
N-CHANNEL MOSFET,TO-247-4
Micro Commercial Co
338
现货
1 : ¥136.12000
散装
-
散装
在售
N 通道
SiC(碳化硅结晶体管)
1200 V
39A
18V
85 毫欧 @ 20A,18V
3.6V @ 5mA
41 nC @ 18 V
+22V,-8V
890 pF @ 1000 V
-
223W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
通孔
TO-247-4
TO-247-4
TO-247-AD-EP-(H)
IXTH2N170D2
MOSFET N-CH 1700V 2A TO247
Littelfuse Inc.
10
现货
1 : ¥178.97000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
1700 V
2A(Tj)
0V
6.5 欧姆 @ 1A,0V
-
110 nC @ 5 V
±20V
3650 pF @ 10 V
耗尽模式
568W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
TO-247(IXTH)
TO-247-3
TO-247-4 Top
DMWS120H100SM4
SIC MOSFET BVDSS: >1000V TO247-4
Diodes Incorporated
27
现货
1,830
工厂
1 : ¥160.99000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1200 V
37.2A(Tc)
15V
100 毫欧 @ 20A,15V
3.5V @ 5mA
52 nC @ 15 V
+19V,-8V
1516 pF @ 1000 V
-
208W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
TO-247-4
TO-247-4
显示
/ 19

单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。