单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Toshiba Semiconductor and Storage
系列
AlphaMOSU-MOSVIII-H
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
产品状态
不适用于新设计在售
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
34A（Tc）47A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
3.2 毫欧 @ 23.5A，10V3.7 毫欧 @ 20A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.3V @ 300µA2.4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
21 nC @ 10 V80 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
2100 pF @ 15 V3020 pF @ 15 V
功率耗散（最大值）
1.6W（Ta），44W（Tc）46W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）150°C（TJ）
供应商器件封装
8-DFN（5x6）8-SOP Advance（5x5）
封装/外壳
8-PowerSMD，扁平引线8-PowerVDFN
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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/ 2
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
4,990
现货
1 : ¥9.61000
剪切带（CT）
5,000 : ¥3.71494
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
47A（Tc）
4.5V，10V
3.2 毫欧 @ 23.5A，10V
2.3V @ 300µA
21 nC @ 10 V
±20V
2100 pF @ 15 V
-
1.6W（Ta），44W（Tc）
150°C（TJ）
表面贴装型
8-SOP Advance（5x5）
8-PowerVDFN
8-DFN
AON6366E
MOSFET N-CHANNEL 30V 34A 8DFN
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
0
现货
3,000 : ¥2.70584
卷带（TR）
卷带（TR）
不适用于新设计
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
34A（Tc）
4.5V，10V
3.7 毫欧 @ 20A，10V
2.4V @ 250µA
80 nC @ 10 V
±20V
3020 pF @ 15 V
-
46W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-DFN（5x6）
8-PowerSMD，扁平引线
显示
/ 2

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。