单 FET，MOSFET

结果 : 7
系列
CoolMOS™ CFD7OptiMOS™OptiMOS™-5StrongIRFET™ 2
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
100 V600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
21A（Tc）23A（Ta），100A（Tc）24A（Tc）33A（Tc）180A（Tc）227A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
6V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
1.7 毫欧 @ 100A，10V2.4 毫欧 @ 100A，10V2.4 毫欧 @ 90A，10V2.7 毫欧 @ 50A，10V75 毫欧 @ 11.4A，10V105 毫欧 @ 7.8A，10V125 毫欧 @ 6.8A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3.8V @ 146µA3.8V @ 169µA3.8V @ 183µA4.1V @ 270µA4.5V @ 340µA4.5V @ 390µA4.5V @ 570µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
31 nC @ 10 V36 nC @ 10 V51 nC @ 10 V111 nC @ 10 V138 nC @ 10 V154 nC @ 10 V195 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
840 pF @ 50 V1330 pF @ 400 V1503 pF @ 400 V2103 pF @ 400 V7300 pF @ 50 V8200 pF @ 50 V10200 pF @ 50 V
功率耗散（最大值）
3W（Ta），214W（Tc）127W（Tc）140W（Tc）188W（Tc）250W（Tc）313W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
PG-HSOF-8-2PG-TO263-7PG-TO263-7-14PG-TSON-8-3
封装/外壳
8-PowerSFN8-PowerTDFNTO-263-7，D2PAK（6 引线 + 凸片）TO-263-8，D2PAK（7 引线 + 凸片），TO-263CA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
7结果
显示
/ 7
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-263-7, D2Pak
IPB017N10N5LFATMA1
MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
Infineon Technologies
1,381
现货
1 : ¥62.89000
剪切带（CT）
1,000 : ¥35.67997
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
180A（Tc）
10V
1.7 毫欧 @ 100A，10V
4.1V @ 270µA
195 nC @ 10 V
±20V
840 pF @ 50 V
-
313W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PG-TO263-7
TO-263-7，D2PAK（6 引线 + 凸片）
PG-TSON-8-3
BSC027N10NS5ATMA1
MOSFET N-CH 100V 23A/100A TSON
Infineon Technologies
7,046
现货
1 : ¥37.44000
剪切带（CT）
5,000 : ¥17.46636
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
23A（Ta），100A（Tc）
6V，10V
2.7 毫欧 @ 50A，10V
3.8V @ 146µA
111 nC @ 10 V
±20V
8200 pF @ 50 V
-
3W（Ta），214W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
PG-TSON-8-3
8-PowerTDFN
TOLLLEADLESS
IPT60R105CFD7XTMA1
MOSFET N-CH 600V 24A 8HSOF
Infineon Technologies
1,674
现货
1 : ¥31.77000
剪切带（CT）
2,000 : ¥14.82794
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
600 V
24A（Tc）
10V
105 毫欧 @ 7.8A，10V
4.5V @ 390µA
36 nC @ 10 V
±20V
1503 pF @ 400 V
-
140W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PG-HSOF-8-2
8-PowerSFN
x-xSOF-8-1
IPT60R075CFD7XTMA1
MOSFET N-CH 600V 33A 8HSOF
Infineon Technologies
1,269
现货
1 : ¥45.15000
剪切带（CT）
2,000 : ¥21.07149
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
600 V
33A（Tc）
10V
75 毫欧 @ 11.4A，10V
4.5V @ 570µA
51 nC @ 10 V
±20V
2103 pF @ 400 V
-
188W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PG-HSOF-8-2
8-PowerSFN
x-xSOF-8-1
IPT60R125CFD7XTMA1
MOSFET N-CH 600V 21A 8HSOF
Infineon Technologies
1,989
现货
1 : ¥28.41000
剪切带（CT）
2,000 : ¥13.82852
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
600 V
21A（Tc）
10V
125 毫欧 @ 6.8A，10V
4.5V @ 340µA
31 nC @ 10 V
±20V
1330 pF @ 400 V
-
127W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PG-HSOF-8-2
8-PowerSFN
774
现货
1 : ¥30.13000
剪切带（CT）
800 : ¥14.08084
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
227A（Tc）
6V，10V
2.4 毫欧 @ 100A，10V
3.8V @ 169µA
154 nC @ 10 V
±20V
7300 pF @ 50 V
-
250W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
PG-TO263-7-14
TO-263-8，D2PAK（7 引线 + 凸片），TO-263CA
D2PAK-7pin
IPB024N10N5ATMA1
MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
Infineon Technologies
463
现货
1 : ¥37.27000
剪切带（CT）
1,000 : ¥17.40167
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
180A（Tc）
6V，10V
2.4 毫欧 @ 90A，10V
3.8V @ 183µA
138 nC @ 10 V
±20V
10200 pF @ 50 V
-
250W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
PG-TO263-7
TO-263-8，D2PAK（7 引线 + 凸片），TO-263CA
显示
/ 7

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。