FET、MOSFET 阵列

结果 : 6
制造商
Diodes IncorporatedInfineon TechnologiesSTMicroelectronicsTaiwan Semiconductor CorporationVishay Siliconix
系列
-OptiMOS™STripFET™TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
FET 功能
-逻辑电平门
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
7A(Ta),30A(Tc)8A9.2A(Ta),33.2A(Tc)13.1A(Ta),47.6A(Tc)20A57A(Tc)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
11 毫欧 @ 20A,10V11 毫欧 @ 7.5A,10V19 毫欧 @ 10A,10V25 毫欧 @ 7A,10V26 毫欧 @ 17A,10V36 毫欧 @ 5.3A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.2V @ 10µA2.5V @ 250µA3V @ 250µA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
17nC @ 10V20nC @ 10V22nC @ 10V40.2nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
735pF @ 25V864pF @ 30V1035pF @ 30V1430pF @ 25V1461pF @ 30V2615pF @ 30V
功率 - 最大值
2W(Ta),48W(Tc)2.5W(Ta),37.5W(Tc)2.8W33W34W62.5W
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)
封装/外壳
8-PowerTDFN8-PowerVDFNPowerPAK® SO-8 双
供应商器件封装
8-PDFN(5x6)PG-TDSON-8-4PowerDI5060-8PowerFlat™(5x6)PowerPAK® SO-8 双
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
6结果

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/ 6
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
技术
配置
FET 功能
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
功率 - 最大值
工作温度
等级
资质
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
PG-TDSON-8-4
IPG20N06S4L26ATMA1
MOSFET 2N-CH 60V 20A 8TDSON
Infineon Technologies
16,794
现货
1 : ¥9.11000
剪切带(CT)
5,000 : ¥3.59711
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 N-通道(双)
逻辑电平门
60V
20A
26 毫欧 @ 17A,10V
2.2V @ 10µA
20nC @ 10V
1430pF @ 25V
33W
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-PowerVDFN
PG-TDSON-8-4
PowerPAK SO-8 Dual
SQJ960EP-T1_GE3
MOSFET 2N-CH 60V 8A PPAK SO8
Vishay Siliconix
4,207
现货
1 : ¥17.16000
剪切带(CT)
3,000 : ¥7.72748
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 N-通道(双)
逻辑电平门
60V
8A
36 毫欧 @ 5.3A,10V
2.5V @ 250µA
20nC @ 10V
735pF @ 25V
34W
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PowerPAK® SO-8 双
PowerPAK® SO-8 双
12,216
现货
1 : ¥6.90000
剪切带(CT)
2,500 : ¥3.66361
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 N-通道(双)
-
60V
7A(Ta),30A(Tc)
25 毫欧 @ 7A,10V
4V @ 250µA
22nC @ 10V
1461pF @ 30V
2W(Ta),48W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-PowerTDFN
8-PDFN(5x6)
DMPH4015SPSQ-13
DMTH6010LPD-13
MOSFET 2N-CH 60V 13.1A PWRDI50
Diodes Incorporated
7,310
现货
32,500
工厂
1 : ¥9.77000
剪切带(CT)
2,500 : ¥4.03597
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 N-通道(双)
-
60V
13.1A(Ta),47.6A(Tc)
11 毫欧 @ 20A,10V
3V @ 250µA
40.2nC @ 10V
2615pF @ 30V
2.8W
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
8-PowerTDFN
PowerDI5060-8
8 PowerVDFN
STL50DN6F7
MOSFET 2N-CH 60V 57A POWERFLAT
STMicroelectronics
54
现货
1 : ¥13.22000
剪切带(CT)
3,000 : ¥5.48264
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 N-通道(双)
-
60V
57A(Tc)
11 毫欧 @ 7.5A,10V
4V @ 250µA
17nC @ 10V
1035pF @ 30V
62.5W
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-PowerVDFN
PowerFlat™(5x6)
DMC1016UPD-13
DMTH6016LPD-13
MOSFET 2N-CH 60V 9.2A PWRDI50
Diodes Incorporated
0
现货
465,000
工厂
查看交期
1 : ¥12.64000
剪切带(CT)
2,500 : ¥3.43698
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 N-通道(双)
-
60V
9.2A(Ta),33.2A(Tc)
19 毫欧 @ 10A,10V
2.5V @ 250µA
17nC @ 10V
864pF @ 30V
2.5W(Ta),37.5W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
8-PowerTDFN
PowerDI5060-8
显示
/ 6

FET、MOSFET 阵列


场效应晶体管 (FET) 是使用电场控制电流流动的电子器件。向栅极端子施加电压会改变漏极端子和源极端子之间的电导率。FET 也称为单极型晶体管,因为其涉及单载流子类型的操作。也就是说,FET 在操作中使用电子或空穴作为载流子,而不是同时使用两者。场效应晶体管通常在低频下显示出极高的输入阻抗。