单 FET，MOSFET

结果 : 4
制造商
Infineon TechnologiesSTMicroelectronics
系列
-CoolMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
产品状态
停产在售
技术
MOSFET（金属氧化物）SiC（碳化硅结晶体管）SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）
40 V600 V650 V1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
30A（Tc）50A（Tc）100A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V12V15V，18V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
3 毫欧 @ 50A，10V10 毫欧 @ 50A，12V72 毫欧 @ 15A，18V87 毫欧 @ 15A，18V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.5V @ 250µA4.2V @ 1mA4.5V @ 3.08mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
26 nC @ 10 V29 nC @ 18 V37 nC @ 18 V318 nC @ 12 V
Vgs（最大值）
±20V+22V，-10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
721 pF @ 400 V900 pF @ 850 V1850 pF @ 25 V11987 pF @ 300 V
功率耗散（最大值）
105W（Tc）185W（Tc）223W（Tc）694W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
HU3PAKLFPAK56，Power-SO8PG-HDSOP-22-1
封装/外壳
22-PowerBSOP 模块SC-100，SOT-669TO-263-8，D2PAK（7 引线 + 凸片），TO-263CA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果
显示
/ 4
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
AUTOMOTIVE-GRADE SILICON CARBIDE
SCT055HU65G3AG
AUTOMOTIVE-GRADE SILICON CARBIDE
STMicroelectronics
550
现货
1 : ¥100.98000
剪切带（CT）
600 : ¥69.73240
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
650 V
30A（Tc）
15V，18V
72 毫欧 @ 15A，18V
4.2V @ 1mA
29 nC @ 18 V
+22V，-10V
721 pF @ 400 V
-
185W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
HU3PAK
TO-263-8，D2PAK（7 引线 + 凸片），TO-263CA
AUTOMOTIVE-GRADE N-CHANNEL 40 V,
STK130N4LF7AG
AUTOMOTIVE-GRADE N-CHANNEL 40 V,
STMicroelectronics
118
现货
1 : ¥13.22000
剪切带（CT）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
100A（Tc）
4.5V，10V
3 毫欧 @ 50A，10V
2.5V @ 250µA
26 nC @ 10 V
±20V
1850 pF @ 25 V
-
105W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
LFPAK56，Power-SO8
SC-100，SOT-669
IPDQ60R010S7XTMA1
IPDQ60R010S7XTMA1
HIGH POWER_NEW PG-HDSOP-22
Infineon Technologies
0
现货
查看交期
1 : ¥163.78000
剪切带（CT）
750 : ¥117.10516
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
600 V
50A（Tc）
12V
10 毫欧 @ 50A，12V
4.5V @ 3.08mA
318 nC @ 12 V
±20V
11987 pF @ 300 V
-
694W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-HDSOP-22-1
22-PowerBSOP 模块
0
现货
查看交期
600 : ¥80.92157
卷带（TR）
-
卷带（TR）
在售
N 通道
SiC（碳化硅结晶体管）
1200 V
30A（Tc）
15V，18V
87 毫欧 @ 15A，18V
4.2V @ 1mA
37 nC @ 18 V
+22V，-10V
900 pF @ 850 V
-
223W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
HU3PAK
TO-263-8，D2PAK（7 引线 + 凸片），TO-263CA
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。