FET、MOSFET 阵列

结果 : 14
制造商
Infineon TechnologiesonsemiRohm SemiconductorWolfspeed, Inc.
系列
-CCoolSiC™EasyPACK™WolfPACK™
包装
托盘散装
产品状态
不适用于新设计在售
配置
2 个 N 沟道2 个 N 通道(半桥)4 N 沟道(全桥)-
漏源电压(Vdss)
1200V(1.2kV)2000V(2kV)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
45A78A(Tj)85A(Tj)105A(Tj)120A(Tc)146A(Tj)200A(Tj)280A(Tc)350A(Tc)468A(Tc)-
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
4.25 毫欧 @ 400A,15V5 毫欧 @ 200A,18V5.3 毫欧 @ 300A,18V6.9 毫欧 @ 200A,15V10.4 毫欧 @ 150A,15V12 毫欧 @ 100A,18V14 毫欧 @ 100A,15V16.2 毫欧 @ 50A,18V21.3 毫欧 @ 80A,15V-
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.7V @ 22mA3.6V @ 106mA3.6V @ 23mA3.6V @ 35mA3.6V @ 46mA3.6V @ 69mA4.4V @ 160mA5.15V @ 168mA5.15V @ 20mA5.15V @ 40mA-
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
149nC @ 18V236nC @ 15V297nC @ 18V324nC @ 15V472nC @ 15V708nC @ 15V1040nC @ 15V1170nC @ 18V1195nC @ 20V-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
4400pF @ 800V6600pF @ 800V8800pF @ 800V10300pF @ 800V13600pF @ 800V14000pF @ 10V20400pF @ 800V20889pF @ 800V29700pF @ 800V36100pF @ 1.2kV-
功率 - 最大值
780W979W(Tc)-
工作温度
-40°C ~ 150°C(TJ)-40°C ~ 175°C(TJ)-
供应商器件封装
36-PIM(56.7x62.8)-AG-62MMHBAG-EASY1BAG-EASY2B模块
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
14结果

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/ 14
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
技术
配置
FET 功能
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
功率 - 最大值
工作温度
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
F3L8MR12W2M1HPB11BPSA1-(secondary)
F3L8MR12W2M1HPB11BPSA1
SIC 2N-CH 1200V 85A AG-EASY2B
Infineon Technologies
41
现货
1 : ¥1,324.08000
托盘
托盘
在售
碳化硅(SiC)
2 个 N 通道(半桥)
-
1200V(1.2kV)
85A(Tj)
12 毫欧 @ 100A,18V
5.15V @ 40mA
297nC @ 18V
8800pF @ 800V
-
-40°C ~ 175°C(TJ)
底座安装
模块
AG-EASY2B
NXH004P120M3F2PTHG
NXH003P120M3F2PTHG
ELITESIC, 3 MOHM SIC M3S MOSFET,
onsemi
85
现货
40
工厂
1 : ¥1,841.95000
托盘
-
托盘
在售
碳化硅(SiC)
2 个 N 通道(半桥)
-
1200V(1.2kV)
350A(Tc)
5 毫欧 @ 200A,18V
4.4V @ 160mA
1195nC @ 20V
20889pF @ 800V
979W(Tc)
-40°C ~ 175°C(TJ)
底座安装
模块
36-PIM(56.7x62.8)
37
现货
1 : ¥1,436.72000
托盘
托盘
在售
碳化硅(SiC)
2 个 N 通道(半桥)
-
1200V(1.2kV)
-
10.4 毫欧 @ 150A,15V
3.6V @ 46mA
472nC @ 15V
13600pF @ 800V
-
-40°C ~ 150°C(TJ)
底座安装
模块
-
CCB032M12FM3
CBB021M12FM3
SIC 4N-CH 1200V 105A MODULE
Wolfspeed, Inc.
29
现货
1 : ¥1,441.23000
托盘
-
托盘
在售
碳化硅(SiC)
4 N 沟道(全桥)
-
1200V(1.2kV)
105A(Tj)
14 毫欧 @ 100A,15V
3.6V @ 35mA
324nC @ 15V
10300pF @ 800V
-
-40°C ~ 150°C(TJ)
底座安装
模块
-
28
现货
1 : ¥916.21000
托盘
托盘
在售
碳化硅(SiC)
-
-
1200V(1.2kV)
-
-
-
-
-
-
-
底座安装
模块
AG-EASY1B
CAB006M12GM3
CAB008M12GM3T
SIC 2N-CH 1200V 146A MODULE
Wolfspeed, Inc.
55
现货
1 : ¥2,121.66000
-
在售
碳化硅(SiC)
2 个 N 通道(半桥)
-
1200V(1.2kV)
146A(Tj)
10.4 毫欧 @ 150A,15V
3.6V @ 46mA
472nC @ 15V
13600pF @ 800V
-
-40°C ~ 150°C(TJ)
底座安装
模块
模块
CAB006M12GM3
CAB006M12GM3T
SIC 2N-CH 1200V 200A MODULE
Wolfspeed, Inc.
42
现货
1 : ¥2,707.35000
-
在售
碳化硅(SiC)
2 个 N 通道(半桥)
-
1200V(1.2kV)
200A(Tj)
6.9 毫欧 @ 200A,15V
3.6V @ 69mA
708nC @ 15V
20400pF @ 800V
-
-40°C ~ 150°C(TJ)
底座安装
模块
模块
BSM120D12P2C005
BSM120D12P2C005
MOSFET 2N-CH 1200V 120A MODULE
Rohm Semiconductor
11
现货
1 : ¥3,244.68000
散装
-
散装
在售
碳化硅(SiC)
2 个 N 通道(半桥)
-
1200V(1.2kV)
120A(Tc)
-
2.7V @ 22mA
-
14000pF @ 10V
780W
-40°C ~ 150°C(TJ)
-
模块
模块
FF4MR20KM1H
FF4MR20KM1HHPSA1
SIC 2N-CH 2000V AG-62MMHB
Infineon Technologies
18
现货
1 : ¥4,846.82000
托盘
托盘
在售
碳化硅(SiC)
2 个 N 沟道
-
2000V(2kV)
280A(Tc)
5.3 毫欧 @ 300A,18V
5.15V @ 168mA
1170nC @ 18V
36100pF @ 1.2kV
-
-40°C ~ 175°C(TJ)
底座安装
模块
AG-62MMHB
17
现货
1 : ¥869.09000
托盘
托盘
在售
碳化硅(SiC)
-
-
1200V(1.2kV)
-
-
-
-
-
-
-
底座安装
模块
AG-EASY1B
WAB400M12BM3
WAB400M12BM3
SIC 2N-CH 1200V 468A MODULE
Wolfspeed, Inc.
21
现货
1 : ¥8,808.79000
散装
-
散装
不适用于新设计
碳化硅(SiC)
2 个 N 通道(半桥)
-
1200V(1.2kV)
468A(Tc)
4.25 毫欧 @ 400A,15V
3.6V @ 106mA
1040nC @ 15V
29700pF @ 800V
-
-40°C ~ 175°C(TJ)
底座安装
模块
模块
21
现货
1 : ¥844.79000
托盘
托盘
在售
碳化硅(SiC)
-
-
1200V(1.2kV)
-
-
-
-
-
-
-
底座安装
模块
AG-EASY1B
DF8MR12W1M1HFB67BPSA1
DF8MR12W1M1HFB67BPSA1
SIC 2N-CH 1200V 45A AG-EASY1B
Infineon Technologies
24
现货
1 : ¥1,010.22000
托盘
托盘
在售
碳化硅(SiC)
2 个 N 沟道
-
1200V(1.2kV)
45A
16.2 毫欧 @ 50A,18V
5.15V @ 20mA
149nC @ 18V
4400pF @ 800V
-
-40°C ~ 175°C(TJ)
底座安装
模块
AG-EASY1B
CCB032M12FM3
CAB016M12FM3T
SIC 2N-CH 1200V 78A MODULE
Wolfspeed, Inc.
2
现货
1 : ¥1,226.96000
-
在售
碳化硅(SiC)
2 个 N 通道(半桥)
-
1200V(1.2kV)
78A(Tj)
21.3 毫欧 @ 80A,15V
3.6V @ 23mA
236nC @ 15V
6600pF @ 800V
-
-40°C ~ 150°C(TJ)
底座安装
模块
模块
显示
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FET、MOSFET 阵列


场效应晶体管 (FET) 是使用电场控制电流流动的电子器件。向栅极端子施加电压会改变漏极端子和源极端子之间的电导率。FET 也称为单极型晶体管,因为其涉及单载流子类型的操作。也就是说,FET 在操作中使用电子或空穴作为载流子,而不是同时使用两者。场效应晶体管通常在低频下显示出极高的输入阻抗。