单 FET，MOSFET

结果 : 6
制造商
GeneSiC SemiconductorQorvoRohm SemiconductorToshiba Semiconductor and Storage
系列
-G3R™
技术
SiCFET（共源共栅 SiCJFET）SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）
650 V1200 V1700 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
21A（Tc）22A（Tc）26A（Tc）34.5A（Tc）36A（Tc）120A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
12V15V18V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
9 毫欧 @ 50A，12V78 毫欧 @ 18A，18V81 毫欧 @ 12A，18V90毫欧 @ 20A，12V192 毫欧 @ 10A，15V208 毫欧 @ 12A，15V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.69V @ 5mA2.7V @ 5mA4.8V @ 6.45mA5V @ 4.2mA6V @ 10mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
28 nC @ 15 V46 nC @ 15 V46 nC @ 18 V51 nC @ 15 V64 nC @ 18 V214 nC @ 15 V
Vgs（最大值）
±15V±20V+21V，-4V+25V，-10V±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
730 pF @ 800 V1272 pF @ 1000 V1498 pF @ 800 V1500 pF @ 100 V1530 pF @ 800 V8360 pF @ 100 V
功率耗散（最大值）
115W123W（Tc）170W（Tc）175W（Tc）254.2W（Tc）789W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）175°C175°C（TJ）
供应商器件封装
TO-247TO-247-3TO-247-4TO-247N
封装/外壳
TO-247-3TO-247-4
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
6结果
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/ 6
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-247-3
G3R160MT12D
SIC MOSFET N-CH 22A TO247-3
GeneSiC Semiconductor
337
现货
1 : ¥53.53000
管件
管件
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
1200 V
22A（Tc）
15V
192 毫欧 @ 10A，15V
2.69V @ 5mA
28 nC @ 15 V
±15V
730 pF @ 800 V
-
123W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-247-3
TO-247-3
TO-247-3
G3R160MT17D
SIC MOSFET N-CH 21A TO247-3
GeneSiC Semiconductor
803
现货
1 : ¥100.49000
管件
管件
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
1700 V
21A（Tc）
15V
208 毫欧 @ 12A，15V
2.7V @ 5mA
51 nC @ 15 V
±15V
1272 pF @ 1000 V
-
175W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-247-3
TO-247-3
TO-247-4L
UF3SC065007K4S
MOSFET N-CH 650V 120A TO247-4
Qorvo
1,442
现货
1 : ¥610.81000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiCFET（共源共栅 SiCJFET）
650 V
120A（Tc）
12V
9 毫欧 @ 50A，12V
6V @ 10mA
214 nC @ 15 V
±20V
8360 pF @ 100 V
-
789W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-247-4
TO-247-4
TO-247N
SCT4062KEC11
1200V, 62M, 3-PIN THD, TRENCH-ST
Rohm Semiconductor
4,734
现货
1 : ¥119.21000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
1200 V
26A（Tc）
18V
81 毫欧 @ 12A，18V
4.8V @ 6.45mA
64 nC @ 18 V
+21V，-4V
1498 pF @ 800 V
-
115W
175°C（TJ）
通孔
TO-247N
TO-247-3
TO-247-3L
UJ3C120070K3S
SICFET N-CH 1200V 34.5A TO247-3
Qorvo
671
现货
1 : ¥119.21000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiCFET（共源共栅 SiCJFET）
1200 V
34.5A（Tc）
12V
90毫欧 @ 20A，12V
6V @ 10mA
46 nC @ 15 V
±25V
1500 pF @ 100 V
-
254.2W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-247-3
TO-247-3
45
现货
1 : ¥152.05000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
1200 V
36A（Tc）
18V
78 毫欧 @ 18A，18V
5V @ 4.2mA
46 nC @ 18 V
+25V，-10V
1530 pF @ 800 V
-
170W（Tc）
175°C
通孔
TO-247
TO-247-3
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。