RF FET,MOSFET

结果 : 4
制造商
Ampleon USA Inc.NXP USA Inc.
系列
-ART
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)托盘
配置
双,共源
频率
1MHz ~ 400MHz1.8MHz ~ 470MHz1.8MHz ~ 500MHz108MHz
增益
22.5dB24dB24.4dB28.9dB
电压 - 测试
50 V65 V
额定电流(安培)
1.4µA10µA-
电流 - 测试
40 mA200 mA600 mA
功率 - 输出
1400W1500W1800W2000W
电压 - 额定
50 V135 V182 V200 V
封装/外壳
SOT-539ASOT-539ANSOT-979A
供应商器件封装
NI-1230-4HSOT539ASOT539AN
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果

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/ 4
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
技术
配置
频率
增益
电压 - 测试
额定电流(安培)
噪声系数
电流 - 测试
功率 - 输出
电压 - 额定
等级
资质
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
NI-1230H-4S
MRF1K50HR5
RF MOSFET LDMOS NI1230
NXP USA Inc.
33
现货
1 : ¥1,560.85000
剪切带(CT)
50 : ¥1,461.90180
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
LDMOS
-
1.8MHz ~ 500MHz
22.5dB
-
-
-
-
1500W
50 V
-
-
底座安装
SOT-979A
NI-1230-4H
MRFX1K80H
MRFX1K80HR5
RF MOSFET LDMOS 65V NI1230
NXP USA Inc.
30
现货
1 : ¥1,601.65000
剪切带(CT)
50 : ¥1,500.16940
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
LDMOS
1.8MHz ~ 470MHz
24dB
65 V
10µA
-
200 mA
1800W
182 V
-
-
底座安装
SOT-979A
NI-1230-4H
SOT539A
BLF188XRU
RF MOSFET LDMOS 50V SOT539A
Ampleon USA Inc.
218
现货
1 : ¥1,774.55000
托盘
-
托盘
在售
LDMOS
双,共源
108MHz
24.4dB
50 V
-
-
40 mA
1400W
135 V
-
-
底座安装
SOT-539A
SOT539A
ART2K0FESU
ART2K0FESU
RF MOSFET LDMOS 65V SOT539AN
Ampleon USA Inc.
45
现货
1 : ¥1,854.02000
托盘
托盘
在售
LDMOS
双,共源
1MHz ~ 400MHz
28.9dB
65 V
1.4µA
-
600 mA
2000W
200 V
-
-
底座安装
SOT-539AN
SOT539AN
显示
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RF FET,MOSFET


射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件,器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。