单 FET，MOSFET

结果 : 15
系列
CoolSiC™CoolSIC™ M1
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）管件
FET 类型
-N 通道
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
33A（Tc）35A（Tc）39A（Tc）58A（Tc）59A（Tc）63A（Tc）64A（Tc）-
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
30 毫欧 @ 41.1A，18V34 毫欧 @ 38.3A，18V42 毫欧 @ 29.5A，18V74 毫欧 @ 16.7A，18V94 毫欧 @ 13.3A，18V-
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
5.7V @ 11mA5.7V @ 12.3mA5.7V @ 4mA5.7V @ 5mA5.7V @ 8.8mA-
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
22 nC @ 18 V28 nC @ 18 V48 nC @ 18 V49 nC @ 18 V63 nC @ 18 V67 nC @ 18 V
Vgs（最大值）
+20V，-2V+23V，-5V-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
744 pF @ 400 V930 pF @ 400 V1643 pF @ 400 V2131 pF @ 400 V2288 pF @ 400 V
功率耗散（最大值）
133W（Tc）140W（Tc）161W（Tc）189W（Tc）197W（Tc）234W（Tc）300W（Tc）-
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）-
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
PG-HSOF-8-2PG-TO247-3-41PG-TO247-4-3PG-TO263-7-12
封装/外壳
8-PowerSFNTO-247-3TO-247-4TO-263-8，D2PAK（7 引线 + 凸片），TO-263CA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
15结果
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/ 15
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
IMBG65R022M1HXTMA1
IMBG65R022M1HXTMA1
SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263-
Infineon Technologies
1,900
现货
1 : ¥137.27000
剪切带（CT）
1,000 : ¥86.91572
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
650 V
64A（Tc）
18V
30 毫欧 @ 41.1A，18V
5.7V @ 12.3mA
67 nC @ 18 V
+23V，-5V
2288 pF @ 400 V
-
300W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
PG-TO263-7-12
TO-263-8，D2PAK（7 引线 + 凸片），TO-263CA
IMW65R030M1HXKSA1
IMW65R030M1HXKSA1
SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247
Infineon Technologies
243
现货
1 : ¥109.19000
管件
管件
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
650 V
58A（Tc）
18V
42 毫欧 @ 29.5A，18V
5.7V @ 8.8mA
48 nC @ 18 V
+20V，-2V
1643 pF @ 400 V
-
197W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
PG-TO247-3-41
TO-247-3
IMZA65R027M1HXKSA1
IMZA65R027M1HXKSA1
MOSFET 650V NCH SIC TRENCH
Infineon Technologies
316
现货
1 : ¥119.12000
管件
管件
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
650 V
59A（Tc）
18V
34 毫欧 @ 38.3A，18V
5.7V @ 11mA
63 nC @ 18 V
+23V，-5V
2131 pF @ 400 V
-
189W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
PG-TO247-4-3
TO-247-4
IMBG65R048M1HXTMA1
IMBG65R072M1HXTMA1
SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263-
Infineon Technologies
817
现货
1 : ¥63.71000
剪切带（CT）
1,000 : ¥33.11219
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
650 V
33A（Tc）
18V
94 毫欧 @ 13.3A，18V
5.7V @ 4mA
22 nC @ 18 V
+23V，-5V
744 pF @ 400 V
-
140W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
PG-TO263-7-12
TO-263-8，D2PAK（7 引线 + 凸片），TO-263CA
IMBG65R048M1HXTMA1
IMBG65R057M1HXTMA1
SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263-
Infineon Technologies
896
现货
1 : ¥73.48000
剪切带（CT）
1,000 : ¥41.66435
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
650 V
39A（Tc）
18V
74 毫欧 @ 16.7A，18V
5.7V @ 5mA
28 nC @ 18 V
+23V，-5V
930 pF @ 400 V
-
161W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
PG-TO263-7-12
TO-263-8，D2PAK（7 引线 + 凸片），TO-263CA
IMBG65R030M1HXTMA1
IMBG65R030M1HXTMA1
SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263-
Infineon Technologies
925
现货
1 : ¥105.82000
剪切带（CT）
1,000 : ¥66.99980
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
650 V
63A（Tc）
18V
42 毫欧 @ 29.5A，18V
5.7V @ 8.8mA
49 nC @ 18 V
+23V，-5V
1643 pF @ 400 V
-
234W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
PG-TO263-7-12
TO-263-8，D2PAK（7 引线 + 凸片），TO-263CA
1,594
现货
1 : ¥40.97000
剪切带（CT）
2,000 : ¥19.95229
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
-
SiCFET（碳化硅）
650 V
-
18V
-
-
-
-
-
-
-
-
表面贴装型
PG-HSOF-8-2
8-PowerSFN
1,804
现货
1 : ¥51.72000
剪切带（CT）
2,000 : ¥27.49862
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
-
SiCFET（碳化硅）
650 V
-
18V
-
-
-
-
-
-
-
-
表面贴装型
PG-HSOF-8-2
8-PowerSFN
1,933
现货
1 : ¥56.98000
剪切带（CT）
2,000 : ¥30.27095
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
-
SiCFET（碳化硅）
650 V
-
18V
-
-
-
-
-
-
-
-
表面贴装型
PG-HSOF-8-2
8-PowerSFN
2,000
现货
1 : ¥71.75000
剪切带（CT）
2,000 : ¥38.13159
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
-
SiCFET（碳化硅）
650 V
-
18V
-
-
-
-
-
-
-
-
表面贴装型
PG-HSOF-8-2
8-PowerSFN
1,971
现货
1 : ¥81.03000
剪切带（CT）
2,000 : ¥43.08149
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
-
SiCFET（碳化硅）
650 V
-
18V
-
-
-
-
-
-
-
-
表面贴装型
PG-HSOF-8-2
8-PowerSFN
1,998
现货
1 : ¥92.11000
剪切带（CT）
2,000 : ¥48.93869
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
-
SiCFET（碳化硅）
650 V
-
18V
-
-
-
-
-
-
-
-
表面贴装型
PG-HSOF-8-2
8-PowerSFN
1,934
现货
1 : ¥103.44000
剪切带（CT）
2,000 : ¥60.95062
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
-
SiCFET（碳化硅）
650 V
-
18V
-
-
-
-
-
-
-
-
表面贴装型
PG-HSOF-8-2
8-PowerSFN
1,931
现货
1 : ¥134.56000
剪切带（CT）
2,000 : ¥79.29030
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
-
SiCFET（碳化硅）
650 V
-
18V
-
-
-
-
-
-
-
-
表面贴装型
PG-HSOF-8-2
8-PowerSFN
IMW65R039M1HXKSA1
IMW65R057M1HXKSA1
SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247
Infineon Technologies
88
现货
1 : ¥76.35000
管件
管件
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
650 V
35A（Tc）
18V
74 毫欧 @ 16.7A，18V
5.7V @ 5mA
28 nC @ 18 V
+20V，-2V
930 pF @ 400 V
-
133W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
PG-TO247-3-41
TO-247-3
显示
/ 15

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。