FET、MOSFET 阵列

结果 : 3
配置
2 N 沟道（双）共源4 N 沟道，共源4 N 沟道（全桥）
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制造商零件编号
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价格
系列
包装
产品状态
技术
配置
FET 功能
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
功率 - 最大值
工作温度
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
0
现货
查看交期
1 : ¥1,364.80000
散装
-
散装
在售
碳化硅（SiC）
2 N 沟道（双）共源
-
1200V（1.2kV）
79A
31 毫欧 @ 40A，20V
2.8V @ 1mA
232nC @ 20V
3020pF @ 1000V
310W
-55°C ~ 175°C（TJ）
底座安装
模块
-
0
现货
查看交期
1 : ¥2,432.73000
散装
-
散装
在售
碳化硅（SiC）
4 N 沟道（全桥）
-
1200V（1.2kV）
79A
31 毫欧 @ 40A，20V
2.8V @ 1mA
232nC @ 20V
3020pF @ 1000V
310W
-55°C ~ 175°C（TJ）
底座安装
模块
-
0
现货
查看交期
1 : ¥2,432.73000
散装
-
散装
在售
碳化硅（SiC）
4 N 沟道，共源
-
1200V（1.2kV）
79A
31 毫欧 @ 40A，20V
2.8V @ 1mA
232nC @ 20V
3020pF @ 1000V
310W
-55°C ~ 175°C（TJ）
底座安装
模块
-
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FET、MOSFET 阵列

场效应晶体管 (FET) 是使用电场控制电流流动的电子器件。向栅极端子施加电压会改变漏极端子和源极端子之间的电导率。FET 也称为单极型晶体管，因为其涉及单载流子类型的操作。也就是说，FET 在操作中使用电子或空穴作为载流子，而不是同时使用两者。场效应晶体管通常在低频下显示出极高的输入阻抗。