RF FET，MOSFET

结果 : 3
频率
400MHz ~ 860MHz470MHz ~ 700MHz
电流 - 测试
600 mA1.3 A
功率 - 输出
900W1000W
安装类型
底座安装表面贴装型
封装/外壳
SOT-539ASOT-539B
供应商器件封装
SOT539ASOT539B
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
技术
配置
频率
增益
电压 - 测试
额定电流（安培）
噪声系数
电流 - 测试
功率 - 输出
电压 - 额定
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
SOT539A
BLF989U
RF MOSFET LDMOS 50V SOT539A
Ampleon USA Inc.
28
现货
1 : ¥1,589.01000
托盘
-
托盘
在售
LDMOS
双，共源
400MHz ~ 860MHz
20dB
50 V
2.8µA
-
1.3 A
900W
108 V
底座安装
SOT-539A
SOT539A
SOT539A
BLF989EU
RF MOSFET LDMOS 50V SOT539A
Ampleon USA Inc.
53
现货
1 : ¥1,747.70000
托盘
-
托盘
在售
LDMOS
双，共源
470MHz ~ 700MHz
20dB
50 V
2.8µA
-
600 mA
1000W
108 V
底座安装
SOT-539A
SOT539A
SOT539B
BLF989SU
RF MOSFET LDMOS 50V SOT539B
Ampleon USA Inc.
54
现货
1 : ¥1,312.42000
托盘
-
托盘
在售
LDMOS
双，共源
400MHz ~ 860MHz
20dB
50 V
2.8µA
-
1.3 A
900W
108 V
表面贴装型
SOT-539B
SOT539B
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RF FET，MOSFET

射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件，器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。