单 FET，MOSFET

结果 : 5
制造商
Infineon TechnologiesSTMicroelectronicsVishay Siliconix
系列
-HEXFET®MESH OVERLAY™STripFET™
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
100 V200 V500 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
8A（Tc）11A（Tc）15A（Tc）18A（Tc）40A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
60 毫欧 @ 24A，10V125 毫欧 @ 10A，10V160 毫欧 @ 7.5A，10V500 毫欧 @ 6.6A，10V850 毫欧 @ 4.8A，10V
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
24 nC @ 10 V39 nC @ 10 V44 nC @ 10 V63 nC @ 10 V180 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
800 pF @ 25 V940 pF @ 25 V1200 pF @ 25 V1300 pF @ 25 V2700 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
90W（Tc）110W（Tc）125W（Tc）200W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
TO-220TO-220AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
5结果
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/ 5
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-220AB
IRF9640PBF
MOSFET P-CH 200V 11A TO220AB
Vishay Siliconix
26,123
现货
1 : ¥11.33000
管件
-
管件
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
200 V
11A（Tc）
10V
500 毫欧 @ 6.6A，10V
4V @ 250µA
44 nC @ 10 V
±20V
1200 pF @ 25 V
-
125W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-220AB
TO-220-3
TO-220AB PKG
IRF5210PBF
MOSFET P-CH 100V 40A TO220AB
Infineon Technologies
7,430
现货
1 : ¥19.79000
管件
管件
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
40A（Tc）
10V
60 毫欧 @ 24A，10V
4V @ 250µA
180 nC @ 10 V
±20V
2700 pF @ 25 V
-
200W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-220AB
TO-220-3
TO-220-3
STP19NF20
MOSFET N-CH 200V 15A TO220AB
STMicroelectronics
914
现货
1 : ¥11.58000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
200 V
15A（Tc）
10V
160 毫欧 @ 7.5A，10V
4V @ 250µA
24 nC @ 10 V
±20V
800 pF @ 25 V
-
90W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-220
TO-220-3
TO-220AB
IRF840PBF-BE3
MOSFET N-CH 500V 8A TO220AB
Vishay Siliconix
3,277
现货
1 : ¥15.27000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
500 V
8A（Tc）
10V
850 毫欧 @ 4.8A，10V
4V @ 250µA
63 nC @ 10 V
±20V
1300 pF @ 25 V
-
125W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-220AB
TO-220-3
TO-220-3
STP20NF20
MOSFET N-CH 200V 18A TO220AB
STMicroelectronics
595
现货
1 : ¥15.35000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
200 V
18A（Tc）
10V
125 毫欧 @ 10A，10V
4V @ 250µA
39 nC @ 10 V
±20V
940 pF @ 25 V
-
110W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-220
TO-220-3
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。